[发明专利]钝化后互连结构有效
| 申请号： | 201210192147.6 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103050461A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 梁世纬;陈宪伟;陈英儒;于宗源;李明机 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明提供了钝化后互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域是导电焊盘区域，以及所述第二区域邻近所述第一区域；钝化层，位于所述半导体衬底上面；第一保护层，位于所述钝化层上面；互连层，位于所述第一保护层上面；第二保护层，位于所述互连层上面并且包括开口，所述开口暴露出所述互连层的一部分；阻挡层，形成在所述互连层的暴露部分上；以及焊料凸块，形成在所述阻挡层上，其中，所述钝化层、所述第一保护层、所述互连层、和所述第二保护层中的至少一层包含形成在所述第二区域中的至少一个槽状件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210192147.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：封装结构及其制造方法
- 下一篇：双极晶体管制造方法、双极晶体管和集成电路
