[发明专利]钝化后互连结构有效
| 申请号： | 201210192147.6 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103050461A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 梁世纬;陈宪伟;陈英儒;于宗源;李明机 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 互连 结构 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域是导电焊盘区域，以及所述第二区域邻近所述第一区域；
钝化层，位于所述半导体衬底上面；
第一保护层，位于所述钝化层上面；
互连层，位于所述第一保护层上面；
第二保护层，位于所述互连层上面并且包括开口，所述开口暴露出所述互连层的一部分；
阻挡层，形成在所述互连层的暴露部分上；以及
焊料凸块，形成在所述阻挡层上，
其中，所述钝化层、所述第一保护层、所述互连层、和所述第二保护层中的至少一层包含形成在所述第二区域中的至少一个槽状件。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层包含位于所述第二区域中的多个槽状件，并且所述第一保护层填充所述钝化层中的所述多个槽状件。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层包含镍(Ni)层、钯(Pd)层、或者金(Au)层中的至少一层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述互连层包含铜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：导电焊盘，所述导电焊盘形成在所述第一区域中的所述半导体衬底上，其中，所述导电焊盘被所述钝化层和所述第一保护层部分地覆盖，并且所述导电焊盘与所述互连层电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一保护层包含位于所述第二区域中的多个槽状件，并且所述互连层填充了所述第一保护层的所述多个槽状件。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一保护层包含聚合物。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述互连层包含通过所述第二保护层暴露出来的接合焊盘区域以及与所述接合焊盘区域电分离的伪焊盘区域，并且所述伪焊盘区域包含位于所述第二区域中的多个槽状件。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二保护层包含聚合物。
10.一种封装组件，包括：
半导体器件，具有第一区域和第二区域，所述第二区域邻近所述第一区域，所述半导体器件包括：
导电焊盘，形成在所述第一区域上；
钝化层，形成在所述第一区域和所述第二区域上，其中，所述钝化层包含位于所述第一区域中的第一开口，从而部分地覆盖所述导电焊盘；
第一聚合物层，位于所述钝化层上面并且包含位于所述第一区域中的第二开口，从而部分地覆盖所述第一开口，并且部分地暴露出所述导电焊盘；
钝化后互连(PPI)结构，位于所述第一聚合物层上面，并且填充所述第一聚合物层的所述第二开口；
第二聚合物层，位于所述PPI结构上面，并且包含第三开口，所述第三开口暴露出所述PPI结构的接合焊盘区域；以及
阻挡层，位于所述PPI结构的暴露出来的接合焊盘区域上，其中，所述阻挡层包含镍(Ni)层、钯(Pd)层或者金(Au)层中的至少一层；
衬底，包含导电区域；以及
接合点焊料结构，位于所述半导体器件的所述阻挡层和所述衬底的所述导电区域之间，
其中，所述钝化层、所述第一聚合物层、所述PPI结构、和所述第二聚合物层中的至少一层包含形成在所述第二区域中的至少一个槽状件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210192147.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：封装结构及其制造方法
- 下一篇：双极晶体管制造方法、双极晶体管和集成电路
