[发明专利]用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向有效
| 申请号： | 201210167343.8 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103123930A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有改进的器件性能的器件及其制造方法。示例性器件包括III-V族化合物半导体衬底，该III-V族化合物半导体衬底包括具有（110）晶体定向的表面、以及设置在III-V族化合物半导体衬底上方的栅叠层。栅叠层包括：设置在具有（110）晶体定向的表面上方的高-k介电层、以及设置在高-k介电层上方的栅电极。本发明还提供了用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 介电层 iii 化合物 半导体器件 之间 费米 能级 牵制 110 表面 定向 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：III‑V族化合物半导体衬底，包括具有（110）晶体定向的表面；以及栅叠层，设置在所述III‑V族化合物半导体衬底上方，其中，所述栅叠层包括：高‑k介电层，设置在具有所述（110）晶体定向的所述表面上方，以及栅电极层，设置在所述高‑k介电层上方。
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