[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210137860.0 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103383963A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李秋德;林克峰;林淑雯;游焜煌;王智充;吴德源 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一导电型的一基板；第二导电型的一深阱，形成于基板内并由基板表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，由基板表面向下扩展并形成于深阱内；第二导电型的一第二阱，于深阱内由基板表面向下扩展并与第一阱相隔一距离；一栅极，形成于基板上并位于第一阱和第二阱之间；一绝缘物，由基板表面向下扩展并形成于栅极与第二阱间；一导电插塞(conductive plug)，包括电连接的第一部分和第二部分，其中第一部分与栅极电连接，第二部分延伸于绝缘物里。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一导电型的基板；第二导电型的深阱，形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展；第一阱为该第一导电型，由该基板的表面向下扩展并形成于该深阱内；第二阱为该第二导电型，在该深阱内由该基板的表面向下扩展并与该第一阱相隔一距离；栅极，形成于该基板上并位于该第一阱和该第二阱之间；绝缘物(isolation block)，由该基板的表面向下扩展并形成于该栅极与该第二阱间；导电插塞(conductive plug)，包括：第一部分，与该栅极电连接；和第二部分，与该第一部分电连接并延伸于该绝缘物里。
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