[发明专利]FinFET的适应性鳍设计有效
| 申请号： | 201210115587.1 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102768697A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 欧宗桦;陈淑敏;苏品岱;田丽钧;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种设计标准单元的方法，包括：确定标准单元中的半导体鳍的最小鳍间距，其中，半导体鳍是FinFET的部分；以及确定在标准单元上方的底部金属层中的金属线的最小金属间距，其中，最小金属间距大于最小鳍间距。该标准单元被布置在集成电路中并且实现在半导体晶圆上。本发明还提出了一种FinFET的适应性鳍设计。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 适应性 设计 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：设计标准单元，包括：确定所述标准单元中的半导体鳍的最小鳍间距，其中，所述半导体鳍是FinFET的部分；以及确定在所述标准单元上方的底部金属层中的金属线的最小金属间距，其中，所述最小金属间距大于所述最小鳍间距；以及在半导体晶圆上实现所述标准单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210115587.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗静电、抗菌功能的聚酯细旦空变丝
- 下一篇：电池选择性均衡方法
