[发明专利]基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片级自毁方法及结构

摘要

本发明是一种基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片级自毁方法及结构，具体的说是一种采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在芯片加工过程中在芯片内部制作与CMOS工艺相兼容的金属桥换能元，需要自毁功能作用时，在金属桥两端加电压，起爆金属桥换能元，破坏桥区上层及下层的结构并引发桥区金属液化飞溅，造成下层电路大面积短路，实现芯片自毁。该结构与方法具有结构简单、成本低、工艺难度小、工艺兼容性好、不增加额外的自毁装置、自毁烈度可控、易于集成的特点。

主权项

基于微机电系统(MEMS)金属桥换能元结构的集成电路芯片级自毁方法及结构，其自毁方法是：在芯片的制造过程中，进行表面金属化之间，将金属桥换能元结构作为某一层金属布线层的一部分加工在芯片内部，芯片遇到异常状况需要自毁时，起爆金属桥环能元，金属桥爆发，破坏其上方及下方的局部的芯片结构，实现芯片自毁。其结构特征是：在芯片的制造过程中，在最后一层导线制作工序完成后，在其表面淀积绝缘层，之后在绝缘层表面溅射金属、并光刻形成金属桥换能元结构，换能元桥区对应需要被自毁芯片核心区上方。之后在金属桥层表面淀积钝化层，对金属桥层进行保护。最后进行表面金属化工艺形成芯片表面焊盘。