[发明专利]基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片级自毁方法及结构

权利要求书

1.基于微机电系统(MEMS)金属桥换能元结构的集成电路芯片级自毁方法及结构，其自毁方法是：在芯片的制造过程中，进行表面金属化之间，将金属桥换能元结构作为某一层金属布线层的一部分加工在芯片内部，芯片遇到异常状况需要自毁时，起爆金属桥环能元，金属桥爆发，破坏其上方及下方的局部的芯片结构，实现芯片自毁。其结构特征是：在芯片的制造过程中，在最后一层导线制作工序完成后，在其表面淀积绝缘层，之后在绝缘层表面溅射金属、并光刻形成金属桥换能元结构，换能元桥区对应需要被自毁芯片核心区上方。之后在金属桥层表面淀积钝化层，对金属桥层进行保护。最后进行表面金属化工艺形成芯片表面焊盘。

2.根据权利要求1所述的基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片自毁方法，其特征是：所述的金属桥换能元的桥区部分应位于芯片中需要自毁的核心区域的正上方或正下方。

3.根据权利要求1所述的基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片自毁方法，其特征是：对于具有多层互连结构的芯片，所述的金属桥换能元可以位于任意一层金属互连层上。

4.根据权利要求1所述的基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片自毁方法，其特征是：应用该自毁方法的芯片自毁后被毁掉的区域可以是核心的晶体管集中区，也可以是金属连线密集区。

5.根据权利要求1所述的基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片自毁方法，其另一种结构特征是：在计划被毁掉的区域背面利用反应离子深刻蚀(DRIE)的方法减薄芯片厚度，以实现更好的自毁效果。