[实用新型]一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板有效

申请号：	201821903870.X	申请日：	2018-11-19
公开（公告）号：	CN209400853U	公开（公告）日：	2019-09-17
发明（设计）人：	严峰;蔡亮	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	G03F1/44	分类号：	G03F1/44
代理公司：	上海申新律师事务所 31272	代理人：	俞涤炯
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本实用新型提供一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板，涉及尼康光刻机镜头维护领域。尼康光刻机底部镜头实际受雾化散光影响主要集中在扫描曝光的X方向，本实用新型通过在扫描曝光的X方向放置多列图形组合，其中，每列图形组合中包括多类不同形状的图形，每类图形的线宽尺寸兼容各类光刻机的最小及最大曝光尺寸标准。该掩膜板经曝光后通过扫描电子显微镜自动测量晶圆不同形状、不同线宽尺寸的图形的变化量，表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。本实用新型有效监控光刻机漏光性能稳定性，确保产品品质安全；同时，镜头周期使用率得到最大化，有利于机台保养整体规划。
搜索关键词：	光刻机散光雾化镜头本实用新型扫描曝光图形组合掩膜板线宽扫描电子显微镜机台光刻机镜头产品品质尺寸标准分布趋势漏光性能有效监控整体规划自动测量最大曝光变化量最大化监控使用率多列晶圆掩膜保养兼容曝光安全维护
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【主权项】：

1.一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板，其特征在于，包括沿扫描曝光的X方向放置的多列图形组合，每列所述图形组合中包括多类不同形状的图形；每列所述图形对应于一个透光率；所述掩膜板经曝光后测量晶圆上所述不同形状图形的变化量，表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。

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摘要：本发明涉及一种OPC中双掩膜版的检测方法，包括：步骤（a）提供第一掩膜版和第二掩膜版，并确定所述第一掩膜版中需要清除的图案以及需要最终保持的图案；步骤（b）执行常规检查步骤，以确保所述第二掩膜版包围所述需要清除的图案，同时不会和所述需要最终保持的图案形成接触；步骤（c）执行工艺变量检查步骤，以保证所述第二掩膜版的对准误差以及蚀刻误差在可接受范围之内。本发明的优点在于：能够最大程度的保证所述目标图案中所述双掩膜版的逼真；考虑了工艺过程中各种变量的影响，例如所述光刻对准位移（litho Overlay shift）、蚀刻偏差的变化（Etch bias variation）等。对于OPC过程以及OPC光刻掩膜版输出的运行时间影响非常小。

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摘要：本发明的一种掩模板图案的测量方法，能精确检测掩模板上图案的变化，从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度，方案是，掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记，掩模板上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化，光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化。本发明利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，进而实现达到精确检测掩模板上图案的变化的效果，检测方法简单有效；掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记，从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探测，具有很大的实用价值和推广价值。

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摘要：本发明公开了一种掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法，用以解决现有技术中存在的测量步进精度过程复杂的问题。该掩模板包括：位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被保留的第一步进精度测量图案和第三步进精度测量图案，以及位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀的第二步进精度测量图案和第四步进精度测量图案。

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摘要：本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。

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摘要：本发明提供了一种判断挡板走位精度的掩膜版，包括主曝光区、设置于主曝光区相对的两侧的第一曝光区、第二曝光区、第一曝光区包括第一标尺，第一标尺包括第一尺身、第一分界线、第一刻度，分布在第一分界线两侧的第一刻度分别设置于第一尺身的两侧，第二曝光区包括第二标尺，第二标尺包括第二尺身、第二分界线、第二刻度，分布在第二分界线两侧的第二刻度分别设置于第二尺身的两侧，第一分界线与第二分界线与主曝光区相对的两个边缘重合，第一尺身和第二尺身共线，位于主曝光区的第一刻度与第二刻度位于第一尺身和第二尺身所在直线的同侧。利用本发明提供的掩膜版，通过反映曝光在基板上的图案来判断挡板走位是否正常，以便于及时调整挡板的位置。

光罩及检测结构-201720276071.3
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摘要：本实用新型揭示了一种光罩及检测结构。本实用新型提供的光罩，包括第一模块区、第二模块区和第三模块区，所述第二模块区围绕所述第一模块区，所述第三模块区围绕所述第二模块区，所述第三模块区包括多个线条，每个线条的线宽依次增大，所述第二模块区的线宽大于第三模块区中线条的最大线宽。由此获得的检测结构，能够依据清洗工具转速的不同而黏附不同的残留物缺陷，进而通过残留物缺陷的检测，可以获悉清洗工具转速的偏离情况，可以及时修正，以确保清洗工具转速的正确性。

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摘要：一种掩模板、最佳焦距的监控方法，其中，所述掩模板包括基板；位于基板上的监控图形，所述监控图形包括正方形本体和位于正方形本体的四周侧壁的矩形凸起部，所述矩形凸起部为若干平行的光栅条。采用所述掩模板进行最佳焦距的监控时，提高了监控的精度。

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摘要：本申请公开了一种光掩膜的缺陷检测系统及光掩膜的缺陷检测方法。其中，该缺陷检测系统包括：缺陷扫描单元，用于检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值；缺陷分析单元，用于计算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷。本申请提供的光掩膜的缺陷检测系统和缺陷检测方法能够提高光掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺陷的发现几率。

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发明人：张士健;胡华勇;刘洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种光罩标准片，所述光罩标准片至少包括：光罩本体；形成于所述光罩本体表面的至少一个模拟缺陷，所述模拟缺陷为硅倍半氧烷；氧化形成于所述模拟缺陷表面的二氧化硅层。本实用新型提供的光罩标准片，利用硅倍半氧烷的光刻胶特性，通过曝光显影在光罩本体上制作硅倍半氧烷模拟缺陷，该模拟缺陷可以稳固地粘附于光罩本体上，并且模拟缺陷表面的二氧化硅层可以起到保护作用，确保标准片承受住酸清洗，延长标准片的使用寿命，降低制造成本。

一种掩模板-201410216482.4
发明人：郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及一种掩模板，掩模板上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。本发明提供的掩模板，在其沿由第一测试图形所在的预设图形的第一侧至与第一册相对的第二侧的方向移动标准距离时，可以通过检测移动后的位于预设图形第一侧的第一测试图形与移动前的位于预设图形第二侧的第一测试图形之间的相对位置关系，确定掩模板在其移动过程中是否产生位置偏移，并在产生位置偏移时，确定位置偏移的大小，从而可以对掩模板的位置进行校正，进而在玻璃基板上获得准确的特定图形。

一种光掩膜版-201420224691.9
发明人：王清蕴;卢子轩;杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种光掩膜版，包括前层图案区及环绕所述前层图案区的切割道区，所述切割道区形成有套刻标记图形区，所述套刻标记图形区还形成有密集线条图形，所述密集线条图形整体为一方形，该方形由其两条对角线划分为四个等腰三角形区域，所述等腰三角形区域由若干垂直于该等腰三角形区域底边的线条图形间隔排列组成。使用本实用新型的光掩膜版制作前层器件结构，会在前层的套刻标记区形成密集线条图形，若在该前层器件结构上制作当层时曝光能量发生异常，则会在前层线条密集区域及套刻区域产生光阻残留，导致套刻精度量测失败，从而实现在套刻精度量测的同时侦测后道铝焊盘是否有因能量的异常而造成的光阻残留。

一种用于识别光掩膜待量测图形的结构-201420072328.X
发明人：田明静 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种用于识别光掩膜待量测图形的结构，至少包括：基板及位于其上的图形层；所述图形层表面具有与所述基板接触的若干凹槽；所述若干凹槽的分布构成第一矩阵；所述第一矩阵每行中相邻两凹槽间的图形层形成第二矩阵单元；当所述第一矩阵任意一行中连续分布的若干凹槽为待量测结构时，与该待量测结构中首末两个凹槽分别左、右相邻的两个第二矩阵单元上具有识别标记；当所述第二矩阵任意一行中连续分布的若干第二矩阵单元为待量测结构时，与该待量测结构中首末两个单元分别左、右相邻的两个第二矩阵单元上具有识别标记。本实用新型将待量测图形用识别标记加以标注，使其在量测时易于被人工或量测设备所识别，防止发生量测错误，有效提高了半导体制程的效率。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[实用新型]一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板有效

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