[发明专利]一种半导体太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体太阳能电池，包括由至少一个子电池层组成的有源层，所述子电池层从上至下依次包括窗口层、发射区、基区及背场层；所述发射区及基区之间引入一半导体耗尽区；所述耗尽区组分的带隙宽度大于发射区、基区组分的带隙宽度。本发明还提供这种半导体太阳能电池的制作方法。通过在子电池层的发射区和基区之间插入宽带隙半导体组成的耗尽区来增强内建电场，不仅提高了对光生载流子的收集能力，而且减少了这一区域对有效光子的吸收，实现了在保持开路电压不变的情况下增加短路电流，从而实现更高的转换效率。

主权项

一种半导体太阳能电池，包括由至少一个子电池层(110)组成的有源层(120)，所述子电池层(110)从上至下依次包括窗口层(115)、发射区(114)、基区(111)及背场层(112)，其特征在于，所述发射区(114)及基区(111)之间引入一耗尽区(113)；所述耗尽区(113)组分的带隙宽度大于发射区(114)、基区(111)组分的带隙宽度。