[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210089540.2 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367400A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林镇元;林正基;詹景琳;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于衬底内并由衬底表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，是由衬底表面向下扩展并形成于深阱内，第一阱包括一块状区(block region)和连接块状区一端的多个指状区(fingerregions)；和第二导电型的一第二阱，是于深阱内由衬底的表面向下扩展并邻接第一阱，且第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于该衬底内并由该衬底的表面向下扩展；一第一阱为该第一导电型，是由该衬底的表面向下扩展并形成于该深阱内，该第一阱包括：一块状区(block region)；和多个指状区(finger regions)，连接该块状区的一端；和一第二阱为该第二导电型，是于该深阱内由该衬底的表面向下扩展并邻接该第一阱，且该第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。
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