[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一导电型的一衬底；

一第二导电型的一深阱，形成于该衬底内并由该衬底的表面向下扩展；

一第一阱为该第一导电型，是由该衬底的表面向下扩展并形成于该深阱内，该第一阱包括：

一块状区(block region)；和

多个指状区(finger regions)，连接该块状区的一端；和

一第二阱为该第二导电型，是于该深阱内由该衬底的表面向下扩展并邻接该第一阱，且该第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一第一掺杂电极区为该第二导电型，是由该衬底的表面向下扩展并形成于该第一阱的该块状区内，其中该第一掺杂电极区邻近该多个指状区。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，更包括：

一第二掺杂电极区为该第二导电型，是由该衬底的表面向下扩展并形成于该深阱内，且与第一掺杂电极区相隔一距离；

其中该第一阱的该多个指状区位于该第一掺杂电极区和该第二掺杂电极区之间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，更包括：

一第三掺杂电极区为该第一导电型，是由该衬底的表面向下扩展并形成于该第一阱的该块状区内。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，更包括：

一层间介电层，位于该衬底的表面上，且暴露出该第一、该第二和该第三掺杂电极区的部分表面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，更包括：

一第一电极、一第二电极和一第三电极，位于该层间介电层上并分别与该第一、该第二和该第三掺杂电极区的部分表面接触。

7.根据权利要求3所述的半导体结构，更包括：

一介电结构，形成于该衬底处且位于该第二掺杂电极区和该第二阱之间。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，更包括：

一顶部区域为该第一导电型，形成于该深阱内且位于该介电结构下方处；和

一坡度区域为该第二导电型，形成于该深阱内，且位于该顶部区域上和位于该介电结构下方处。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中于该衬底的表面向下扩展的该第二阱与该第一阱具有相同深度。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该多个指状区具有相同宽度，且相邻的该多个指状区具有相同间隔。