[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
申请号: | 201210075913.0 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN102694113A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 小幡进;樋口和人;西内秀夫;木村晃也;中山俊弥;杉崎吉昭;小岛章弘;秋元阳介 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张扬;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据一个实施例,半导体发光器件包括叠置体、第一和第二电极、第一和第二互连、第一和第二柱以及第一绝缘层。叠置体包括第一和第二半导体层和发光层。第一和第二电极分别连接到第一和第二半导体层。第一和第二互连分别连接到第一和第二电极。第一和第二柱分别连接到第一和第二互连。第一绝缘层设置在所述互连和所述柱上。第一和第二柱具有在第一绝缘层的表面中暴露的第一和第二监视焊盘。第一和第二互连具有在与第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一和第二键合焊盘。 | ||
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【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:叠置体,其包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层,所述叠置体从第二半导体层侧上的第一主表面发光;第一电极,其在所述叠置体的与所述第一主表面相对的第二主表面侧连接到所述第一半导体层;第二电极,其在所述第二主表面侧连接到所述第二半导体层;第一互连,其连接到所述第一电极;第二互连,其连接到所述第二电极;第一柱,其连接到所述第一互连;第二柱,其连接到所述第二互连;以及第一绝缘层,其在所述第二主表面侧设置在所述第一互连、所述第二互连、所述第一柱和所述第二柱上,所述第一柱具有在所述第一绝缘层的与所述第一主表面平行的表面中暴露的第一监视焊盘,所述第一互连具有在与所述第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一键合焊盘,所述第二柱具有在所述第一绝缘层的所述表面中暴露的第二监视焊盘,所述第二互连具有在所述第一绝缘层的所述侧面中暴露的第二键合焊盘。
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