[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年3月23日递交的日本专利申请No.2011-064909并且要求其优先权。该日本专利申请的全部内容通过引用的形式并入本文。

技术领域

实施例涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

使用发出可见光或者白光的半导体发光器件作为用于照明设备、显示设备等设备的光源，并且预期其这样的应用将越发增长。为了增强半导体发光器件的便利性，希望降低它们的尺寸和成本。例如，要求由氮化物半导体制成的蓝光LED(发光二极管)具有一种适合于提高生产率和良率的结构，并且因此还需要制造方法。

发明内容

根据一个实施例，半导体发光器件包括叠置体、第一电极、第二电极、第一互连、第二互连、第一柱、第二柱以及第一绝缘层。叠置体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层，叠置体从第二半导体层侧上的第一主表面发光。第一电极在叠置体的与第一主表面相对的第二主表面侧连接到第一半导体层。第二电极在第二主表面侧连接到第二半导体层。第一互连连接到第一电极。第二互连连接到第二电极。第一柱连接到第一互连。第二柱连接到第二互连；并且第一绝缘层在第二主表面侧设置在第一互连、第二互连、第一柱和第二柱上。第一柱具有在第一绝缘层的与所述第一主表面平行的表面中暴露的第一监视焊盘。第一互连具有在与第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一键合焊盘。第二柱具有在第一绝缘层的所述表面中暴露的第二监视焊盘。第二互连具有在第一绝缘层的所述侧面中暴露的第二键合焊盘。

附图说明

图1A到图1C是示出根据第一实施例的半导体发光器件的示意图；

图2是示出根据第一实施例的发光模块的示意横截面图；

图3A到图17B是示出根据第一实施例的半导体发光器件的制造工艺的示意图；

图18到图19B是示出根据第二实施例的半导体发光器件的制造工艺的示意图；

图20A和图20B是示出根据第三实施例的半导体发光器件的制造工艺的示意图；

图21A和图21B是示出根据第四实施例的半导体发光器件的制造工艺的示意图；

图22A和图23B是示出根据第五实施例的半导体发光器件的制造工艺的示意图；

图24A和图24B是示出根据第五实施例的变形的半导体发光器件的制造工艺的示意图；

图25A和图25B是示出根据第六实施例的半导体发光器件的示意图；

图26A到图26C是示出根据比较示例的半导体发光器件的示意图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细介绍本发明的实施例。在下面的实施例中，附图中相同的部件用相同的附图标记指示，在适当的地方省略了详细说明，并且将介绍不同的部件。这里，将以第一导电类型为p型而第二导电类型为n型的情形进行说明。第一导电类型为n型而第二导电类型为p型的情形也是可能的。

第一实施例

图1A是示意性示出根据第一实施例的半导体发光器件10a的透视图。

图1B是沿着图1A中线A-A的横截面图。图1C是沿着图1A中线B-B的横截面图。

如图1A所示，半导体发光器件10a具有长方体的外观，包括绝缘树脂层25(第一绝缘层)和透明树脂层27。在绝缘树脂层25的侧面25b中暴露第一键合焊盘23a和第二键合焊盘24a。第一监视焊盘33a和第二监视焊盘34a设置在表面25a上，该表面25a是绝缘树脂层25的与透明树脂层27相对的一个主表面。

如图1B所示，半导体发光器件10a包括叠置体15，其包括p型GaN层12(第一半导体层)、n型GaN层11(第二半导体层)以及发光层13。发光层13设置在p型GaN层12和n型GaN层11之间。叠置体15具有在n型GaN层11侧的第一主表面15a和在其相对侧的第二主表面15b。叠置体15从第一主表面15a侧发光，在那一侧光从发光层发出。

从叠置体15发出的光被传输穿过透明树脂层27，并且被发射到外部。可以在叠置体15和透明树脂层27之间设置透镜26。透镜26收集从叠置体15发出的光，并且改善方向性。此外，透镜26也可以改善发光强度分布并且抑制色度改变。