[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
申请号: | 201210075913.0 | 申请日: | 2012-03-21 |
公开(公告)号: | CN102694113A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 小幡进;樋口和人;西内秀夫;木村晃也;中山俊弥;杉崎吉昭;小岛章弘;秋元阳介 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张扬;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光器件,包括:
叠置体,其包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层,所述叠置体从第二半导体层侧上的第一主表面发光;
第一电极,其在所述叠置体的与所述第一主表面相对的第二主表面侧连接到所述第一半导体层;
第二电极,其在所述第二主表面侧连接到所述第二半导体层;
第一互连,其连接到所述第一电极;
第二互连,其连接到所述第二电极;
第一柱,其连接到所述第一互连;
第二柱,其连接到所述第二互连;以及
第一绝缘层,其在所述第二主表面侧设置在所述第一互连、所述第二互连、所述第一柱和所述第二柱上,
所述第一柱具有在所述第一绝缘层的与所述第一主表面平行的表面中暴露的第一监视焊盘,
所述第一互连具有在与所述第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一键合焊盘,
所述第二柱具有在所述第一绝缘层的所述表面中暴露的第二监视焊盘,
所述第二互连具有在所述第一绝缘层的所述侧面中暴露的第二键合焊盘。
2.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一监视焊盘和所述第二监视焊盘在形状和尺寸中的至少一项上彼此不同。
3.根据权利要求2所述的器件,其中所述第一监视焊盘设置在所述第一互连的边界之内,并且所述第二监视焊盘设置在所述第二互连的边界之内。
4.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一监视焊盘和所述第一键合焊盘经由所述第一绝缘层彼此分离;并且所述第二监视焊盘和所述第二键合焊盘经由所述第一绝缘层彼此分离。
5.根据权利要求1所述的器件,还包括设置在所述第一主表面上的透明树脂层。
6.根据权利要求5所述的器件,还包括设置在所述叠置体和所述透明树脂之间的透镜。
7.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一绝缘层包括环氧树脂、有机硅树脂和氟树脂中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的器件,其中所述第一绝缘层具有抵抗从所述发光层发出的光的光屏蔽特性。
9.根据权利要求7所述的器件,其中所述第一绝缘层包括反射从所述发光层发出的光的组件。
10.根据权利要求1所述的器件,还包括第二绝缘膜,所述第二绝缘膜设置在所述叠置体和所述第一绝缘膜之间并且覆盖所述叠置体、所述第一电极和所述第二电极。
11.根据权利要求10所述的器件,
其中所述第一互连通过设置在所述第二绝缘膜上的接触孔电连接到所述第一电极;并且
所述第二互连通过设置在所述第二绝缘膜上的接触孔电连接到所述第二电极。
12.根据权利要求10所述的器件,其中所述第二绝缘膜由聚酰亚胺或者无机材料制成。
13.根据权利要求1所述的器件,还包括设置所述第一主表面上的蓝宝石衬底。
14.根据权利要求1所述的器件,其中所述绝缘层、所述第一互连和所述第二互连比所述蓝宝石衬底软。
15.一种用于半导体发光器件的制造方法,所述半导体发光器件具有叠置体,所述叠置体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层,所述叠置体从第二半导体层侧上的第一主表面发光,所述方法包括:
在所述叠置体的与所述第一主表面相对的第二主表面侧上形成通过第一电极连接到所述第一半导体层的第一互连以及通过第二电极连接到所述第二半导体层的第二互连;
形成在所述第一互连的边界之内的第一柱以及在所述第二互连的边界之内的第二柱;
形成覆盖所述第一互连、所述第二互连、所述第一柱和所述第二柱的第一绝缘层;以及
抛光或者研磨所述第一绝缘层的表面并且在所述第一绝缘层的所述表面中暴露所述第一柱和所述第二柱。
16.根据权利要求15所述的方法,其中利用镀覆选择性地形成所述第一柱和所述第二柱。
17.根据权利要求15所述的方法,其中通过研磨所述第一互连和所述第二互连的表面来形成所述第一柱和所述第二柱。
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