[发明专利]III族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201210073046.7 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102694101A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 户谷真悟;矢羽田孝辅;石黑雄也 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体发光器件，具有设置在绝缘膜中的Ag或Ag合金反射膜，所述反射膜的至少一部分经由所述绝缘膜位于p型层和具有透明性的p接触电极中的至少之一与n引线电极之间的区域中，其中经由所述绝缘膜在所述n引线电极与所述区域的反射膜之间形成有导电膜，并且所述导电膜电连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一。
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