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[发明专利]发光器件-CN201610832387.6有效
发明人：坊山美乡;户谷真悟;河合隆 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。
发光器件

[发明专利]发光元件-CN201610825760.5有效
发明人： 户谷真悟;坊山美乡;河合隆 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于实现发光的均匀化且抑制高电流下的光输出降低。p电极(16)以及n电极(17)的一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的内侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆或圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者扇型或圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。另外，p电极(16)以及n电极(17)的另一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的外侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。
发光元件

[发明专利]III族氮化物半导体发光装置及其制造方法-CN201610812839.4有效
发明人： 户谷真悟;五所野尾浩一 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。发光装置(1)具有：基板(110)、基板上的半导体层、半导体层上的透明导电氧化物(TE1)、覆盖半导体层和透明导电氧化物的至少一部分的介电膜(F1)以及介电膜(F1)上的荧光体树脂(200)。透明导电氧化物的折射率大于荧光体树脂的折射率。荧光体树脂的折射率大于介电膜(F1)的折射率。发光装置具有：荧光体树脂在开口部(W1)直接接触透明导电氧化物上而配置的第一区域(R1)和介电膜(F1)配置在透明导电氧化物上且荧光体树脂配置在介电膜(F1)上的第二区域。
iii 氮化物半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201610028252.4有效
发明人： 户谷真悟;中内润 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过减少p接触层与透明电极之间的应变而呈现出提高的发射效率。通过气相沉积或溅射在p型接触层上形成由IZO(掺杂锌的铟氧化物)制成的透明电极。随后，通过间接电阻加热使p型覆层和p型接触层被p型活化，并且使透明电极结晶。在700℃的温度下在较小的压强下进行所述热处理。接下来，在100℃至350℃的温度下通过在氮气气氛中采用频率为5.8GHz的微波照射进行微波加热达三分钟至三十分钟。这减少了透明电极的应变，并且提高了透明电极的导电性或半透明性。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法-CN201510543323.X有效
发明人： 户谷真悟 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中，在对Ag原子和Al原子中至少之一的迁移进行抑制的同时简化了所述制造方法。所述制造方法包括以下步骤形成第一电极，形成第二电极，以及在所述第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层。此外，所述第二电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在形成第一电极和第二电极侧阻挡金属层时，在第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层的同时，形成电连接至第一半导体层的第一电极。在同一层状结构中沉积第一电极和第二电极侧阻挡金属层。
iii 氮化物半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN201510415396.0有效
发明人： 户谷真悟 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：第III族氮化物半导体发光器件具有插入在第二半导体层与透明电极之间的绝缘多层膜。该绝缘多层膜用作分布式布拉格反射器并且形成在包括通过将p电极投影至p型接触层所获得的投影区域的区中。绝缘多层膜具有第一区和第二区，其中第一区具有厚度大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层，并且所述第二区具有厚度不大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层。在第二区中绝缘多层膜的第二表面包括具有朝着绝缘膜的第一表面凹陷的凹部的斜坡。
iii 氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201610821968.X在审
发明人：五所野尾浩一;户谷真悟 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件及其制造方法。本发明技术的发光器件包括衬底；设置在衬底上的第III族氮化物半导体层；设置在第III族氮化物半导体层上的电流阻挡层；设置在第III族氮化物半导体层和电流阻挡层上的透明导电氧化物膜；覆盖透明导电氧化物膜的至少一部分和第III族氮化物半导体层的介电膜；以及设置在介电膜上的含磷光体的树脂涂层。第III族氮化物半导体层的折射率大于透明导电氧化物膜的折射率。透明导电氧化物膜的折射率大于介电膜的折射率。介电膜的折射率大于含磷光体的树脂涂层的折射率。电流阻挡层的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。
发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201310359009.7有效
发明人： 户谷真悟;出口将士 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。制造半导体发光元件的方法包括如下步骤在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层；在半导体层上形成透明导电金属氧化物膜；在透明导电金属氧化物膜上方形成电极；形成用于覆盖透明导电金属氧化物膜的一部分的掩模层；以及在含氧气氛中对其上形成有掩模层的透明导电金属氧化物膜进行热处理；其中，在热处理步骤中，使透明导电金属氧化物膜的未被掩模层覆盖的剩余部分的氧浓度高于透明导电金属氧化物膜的被掩模层覆盖的部分的氧浓度。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]平面光源和用于制造发光器件的方法-CN201410790329.2在审
发明人： 户谷真悟 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括导光板和发光装置的平面光源以及用于制造在衬底的主表面上具有第III族氮化物半导体层的发光器件的方法。该平面光源包括：导光板以及设置在导光板的侧表面上的发光装置。该发光装置包括发光器件、壳体和密封树脂。该发光器件在俯视图中具有矩形形状，半导体层的长边侧表面为具有倾斜度的倒锥状以使得沿平行于蓝宝石衬底的主表面的方向的横截面面积随着与蓝宝石衬底的距离增加而增大，并且短边侧表面垂直于蓝宝石衬底的主表面。发光器件的短边方向和长边方向分别垂直于和平行于导光板的平面主表面。发光器件的主表面平行于导光板的侧表面。
平面光源用于制造发光器件方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件-CN201410412193.1在审
发明人： 户谷真悟;河合隆 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种呈现出提高了发光性能的第III族氮化物半导体发光器件。p电极包括：连接到引线的引线接合部、以布线图案从引线接合部延伸的布线部、以及连接到布线部并且经由孔与透明电极接触的接触部。在p型层与透明电极之间的特定区域中设置有电流阻挡层。电流阻挡层由折射率小于p型层的折射率的绝缘并且透明的材料形成。特定区域是在俯视图中包括接触部的区域。电流阻挡层没有设置在与引线接合部和布线部重叠的区域中。电流阻挡层的宽度比接触部的宽度大0μm至9μm。
iii 氮化物半导体发光器件

[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法-CN201180046381.1有效
发明人： 户谷真悟;出口将士;守山实希 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：[问题]为了在制造在绝缘膜上具有反射膜的第III族氮化物半导体发光器件的过程中提高反射膜的耐热性。[解决方案]制造出样品(A)和样品(B)，样品(A)具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO₂形成的第一绝缘膜(2)和反射膜(3)，样品B具有在蓝宝石衬底(1)上顺序形成的由SiO₂形成的第一绝缘膜(2)、反射膜(3)和由SiO₂形成的第二绝缘膜(4)，针对样品(A，B)中的每个样品，在热处理之前和在热处理之后，测量反射膜(3)在450nm的波长下的反射率。在600℃下实施三分钟的热处理。如图所示，使用具有至的Al厚度的Al/Ag/Al、具有的Al厚度的Ag/Al以及具有的Al厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al，在热处理之后反射率为95％或更大，并且该反射率等于或大于Ag的反射率。
用于制造 iii 氮化物半导体发光器件方法

[发明专利]制造III族氮化物半导体发光元件的方法-CN201210080765.1有效
发明人： 户谷真悟;出口将士 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法。以均匀的厚度图案化包括Ag或Ag合金的反射膜而不降低反射率。反射膜通过溅射法、真空沉积等形成在第一绝缘膜的整个表面上，并且通过剥离法在反射膜上形成具有给定图案的阻挡金属膜。使用银蚀刻液体对反射膜进行湿蚀刻。阻挡金属膜未被银蚀刻液体湿蚀刻，因此用作掩模，并且在其上已经形成有阻挡金属膜的区域中的反射膜保持未被蚀刻。因此，可以在第一绝缘膜上均匀地形成具有期望的图案的反射膜。
制造 iii 氮化物半导体发光元件方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件-CN201210076740.4有效
发明人： 户谷真悟;出口将士;中條直树 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供表现出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件中，具有从p-型层的顶表面延伸到n-型层的深度的沟槽提供在与n-电极的布线部或p-电极的布线部重叠(平面视图中)的区域。提供绝缘膜以连续覆盖沟槽、p-型层和ITO电极的侧表面和底表面。绝缘膜中在n-电极和p-电极直接下方的区域(在蓝宝石衬底侧上)中引入反射膜。n-电极的布线部和p-电极的布线部直接下方的区域中的反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。n-电极和p-电极覆盖有额外的绝缘膜。额外的绝缘膜中在布线部直接下方区域中引入反射膜。反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。
iii 氮化物半导体发光器件

[发明专利]III族氮化物半导体发光器件-CN201210073046.7有效
发明人： 户谷真悟;矢羽田孝辅;石黑雄也 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。
iii 氮化物半导体发光器件

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201110398032.8无效
发明人：矢羽田孝辅;户谷真悟;守山实希;关根重信 -专利权人：丰田合成株式会社;纳普拉有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，其在次安装基台上安装有面朝上型的发光元件，不使用引线而高位置精度地进行安装。发光装置由面朝上型的发光元件(1)和次安装基台(2)构成，该面朝上型的发光元件(1)由III族氮化物半导体构成。发光元件(1)具有贯穿孔(17、18)，次安装基台(2)具有2个棒状电极(22)。次安装基台(2)的棒状电极(22)分别插入发光元件(1)的贯穿孔(17、18)中。棒状电极(22)的前端部(22a)从发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)的表面凸出，其前端(22a)被压扁并扩展，与发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)连接。
发光装置及其制造方法

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