[发明专利]III族氮化物半导体发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件具有在绝缘膜中的Ag或含Ag合金反射膜。

背景技术

日本专利申请公开(特开)2005-302747和2010-27824公开了一种倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件，其中由Ag或Ag合金形成的反射膜设置在绝缘膜中。在这种发光器件中，从发光层发射到p型层侧的光被反射膜反射到n型层侧，由此提高了光提取性能。因为容易发生Ag迁移，所以使用绝缘膜包封反射膜以防止Ag迁移。

然而，本发明人的研究已表明：即使将反射膜设置在绝缘膜中并通过绝缘膜进行绝缘，但是由于p电极与n引线电极之间的电位差，在p电极与n引线电极之间的区域中经由绝缘膜设置的反射膜中仍会发生迁移。

发明内容

鉴于上述内容，本发明的一个目的是防止设置在绝缘膜中的Ag或Ag合金反射膜中的迁移。

在本发明的第一方面中，提供了一种III族氮化物半导体发光器件，其具有设置在绝缘膜中的Ag或Ag合金反射膜，所述反射膜的至少一部分经由绝缘膜位于p型层和具有透明性的p接触电极中的至少之一与n引线电极之间的区域中，其中经由绝缘膜在n引线电极和该区域的反射膜之间形成导电膜，并且导电膜电连接至p接触电极和p型层中的至少之一。

导电膜可以由任何导电材料优选对绝缘膜具有良好粘附力的材料形成。反射膜的材料可以是例如Al、Ti、Cr或ITO。p接触电极是与p型层直接接触的电极，并且可以由对于III族氮化物半导体发光器件的发射波长具有透明性的任何材料形成。例如，该电极可以由透明导电氧化物如ITO(铟锡氧化物)、ICO(铟铈氧化物)或IZO(铟锌氧化物)或金属薄膜如Au薄膜形成。

p接触电极和p型层中的至少之一与导电膜的连接不限于直接连接，而是可以为间接连接。连接可以通过连接导电膜和p引线电极来实现，p引线电极设置为连接p接触电极和p型层中的至少之一。或者，连接可以通过连接导电膜和中间电极来实现，中间电极设置作为在p接触电极与p引线电极之间的p接触电极的部分。

导电膜优选形成为其面积(在平面视图上)与经由绝缘膜设置在p接触电极和p型层中的至少之一与n引线电极之间的反射膜的面积相同或者大于该面积。等电位区域变得较大，由此进一步防止了反射膜中的迁移。

反射膜可以是单层膜或多层膜。为了提高反射膜对绝缘膜的粘附力，可以在绝缘膜和反射膜之间设置例如由Ti形成的膜。

本发明的第二方面涉及根据本发明的第一方面的III族氮化物半导体发光器件的一个具体实施方案，其中p接触电极包括ITO。

本发明的第三方面涉及根据本发明的第一或第二方面的III族氮化物半导体发光器件的一个具体实施方案，其中p接触电极具有作为p接触电极的一部分的中间电极，并且导电膜通过中间电极连接至p接触电极。

本发明的第四方面涉及根据本发明的第一至第三方面中的任一方面的III族氮化物半导体发光器件的一个具体实施方案，其中导电膜形成为具有与包括n引线电极在平面视图上的正交投影的面积相同的面积或者比该面积大。

本发明的第五方面涉及根据本发明的第一至第三方面中的任一方面的III族氮化物半导体发光器件的一个具体实施方案，其中导电膜形成为具有与包括反射膜在平面视图上的正交投影的面积相同的面积或者比该面积大。

本发明的第六方面涉及根据本发明的第一至第五方面中的任一方面的III族氮化物半导体发光器件的一个具体实施方案，其中设置有p引线电极用于连接至p接触电极和p型层中的至少之一，并且通过将导电膜连接至p引线电极，使得导电膜经由p引线电极连接至p接触电极和p型层中的至少之一。

本发明的第七方面涉及根据本发明的第一至第六方面中的任一方面的III族氮化物半导体发光器件的一个具体实施方案，其中导电膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。

本发明的第八方面涉及根据本发明的第一至第七方面中的任一方面的III族氮化物半导体发光器件的一个具体实施方案，其中发光器件为倒装芯片型。

根据本发明，因为在绝缘膜中在反射膜与n引线电极之间的区域中设置有导电膜，并且导电膜连接至p型层与p接触电极中的至少之一，所以在p型层和p接触电极中的至少之一与n引线电极之间的区域中的反射膜位于等电位区域中，由此可以防止反射膜中的迁移。