[发明专利]III族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201210073046.7 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102694101A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 户谷真悟;矢羽田孝辅;石黑雄也 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
1.一种III族氮化物半导体发光器件，具有设置在绝缘膜中的Ag或Ag合金反射膜，所述反射膜的至少一部分经由所述绝缘膜位于p型层和具有透明性的p接触电极中的至少之一与n引线电极之间的区域中，其中经由所述绝缘膜在所述n引线电极与所述区域的反射膜之间形成有导电膜，并且所述导电膜电连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述p接触电极包括ITO电极。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述p接触电极具有作为所述p接触电极的一部分的中间电极，并且所述导电膜经由所述中间电极连接至所述p接触电极。
4.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述p接触电极具有作为所述p接触电极的一部分的中间电极，并且所述导电膜经由所述中间电极连接至所述p接触电极。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述导电膜形成为具有与包括所述n引线电极在平面视图上的正交投影的面积相同的面积或比所述面积大。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述导电膜形成为具有与包括所述反射膜在平面视图上的正交投影的面积相同的面积或比所述面积大。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中设置有p引线电极用于连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一，并且通过将所述导电膜连接至所述p引线电极，使得所述导电膜经由所述p引线电极连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一。
8.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体发光器件，其中设置有p引线电极用于连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一，并且通过将所述导电膜连接至所述p引线电极，使得所述导电膜经由所述p引线电极连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一。
9.根据权利要求6所述的III族氮化物半导体发光器件，其中设置有p引线电极用于连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一，并且通过将所述导电膜连接至所述p引线电极，使得所述导电膜经由所述p引线电极连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述导电膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
11.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述导电膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
12.根据权利要求6所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述导电膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
13.根据权利要求7所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述导电膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。
14.根据权利要求1至4、8、9以及11至13中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光器件为倒装芯片型。
15.根据权利要求5所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光器件为倒装芯片型。
16.根据权利要求6所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光器件为倒装芯片型。
17.根据权利要求7所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光器件为倒装芯片型。
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