[发明专利]电熔丝、半导体装置以及电熔丝的信息写入方法无效
| 申请号： | 201210072170.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102693957A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 神田泰夫;甘利浩一;时任俊作;鸟毛裕二;有马孝之 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了电熔丝、半导体装置以及电熔丝的信息写入方法。所述电熔丝包括：丝状体，所述丝状体具有第一导电层和在所述第一导电层上形成的第二导电层，其中在所述丝状体中通过改变所述第一导电层的状态与所述第二导电层的状态的组合产生至少三种可辨别的电阻状态。所述半导体装置包括上述电熔丝、写入部、读取部、阈值信号生成部和辨别部。所述电熔丝的信息写入方法包括以下步骤：首先，对上述电熔丝设定用于产生预定的电阻状态的烧熔条件；然后，在设定的所述烧熔条件下使电流流过所述丝状体，从而在所述丝状体中产生预定的电阻状态。根据本发明，能够以节省空间的方式有效地增大安装在例如半导体集成电路等的芯片上的电熔丝的容量。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 半导体 装置 以及 信息 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种电熔丝，所述电熔丝包括：丝状体，所述丝状体具有第一导电层和在所述第一导电层上形成的第二导电层，其中，在所述丝状体中通过改变所述第一导电层的状态与所述第二导电层的状态的组合产生至少三种可辨别的电阻状态。
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