[发明专利]嵌入式封装件及其制造方法有效
申请号: | 201210046568.8 | 申请日: | 2012-02-27 |
公开(公告)号: | CN102931157B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 郑冠镐 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种嵌入式封装件及其制造方法,该嵌入式封装件包括半导体芯片,分成单元区域和外围区域,具有第一表面和背向第一表面的第二表面,并且包括第一表面上的单元区域中形成的集成电路、第一表面上的外围区域中形成的接合焊盘以及接合焊盘之上形成的凸块;芯层,连接到半导体芯片的第二表面;绝缘部件,形成在包括半导体芯片的芯层之上,并且具有露出凸块的开口;以及电路配线,形成在绝缘部件和凸块之上,并且电连接到凸块,其中单元区域中形成的绝缘部件的厚度大于凸块的高度。 | ||
搜索关键词: | 嵌入式 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种嵌入式封装件,包括:半导体芯片,包括单元区域中的第一表面上形成的集成电路、外围区域中的所述第一表面上形成的接合焊盘以及所述接合焊盘之上形成的凸块;芯层,连接到所述半导体芯片的背向所述第一表面的第二表面;绝缘部件,形成在所述芯层之上,其中露出所述凸块的开口形成在所述绝缘部件上;以及电路配线,直接形成在所述绝缘部件和所述凸块上,其中所述凸块连接到所述电路配线,其中所述单元区域中形成的绝缘部件的厚度大于所述凸块的高度。
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