[发明专利]嵌入式封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种嵌入式封装件，包括：

半导体芯片，包括单元区域中的第一表面上形成的集成电路、外围区域中的所述第一表面上形成的接合焊盘以及所述接合焊盘之上形成的凸块；

芯层，连接到所述半导体芯片的背向所述第一表面的第二表面；

绝缘部件，形成在所述芯层之上，其中露出所述凸块的开口形成在所述绝缘部件上；以及

电路配线，直接形成在所述绝缘部件和所述凸块上，其中所述凸块连接到所述电路配线，

其中所述单元区域中形成的绝缘部件的厚度大于所述凸块的高度。

2.根据权利要求1所述的嵌入式封装件，其中所述单元区域中形成的所述绝缘部件的厚度比所述凸块的高度大10μm至500μm。

3.根据权利要求1所述的嵌入式封装件，其中所述外围区域中形成的所述绝缘部件的厚度小于所述单元区域中形成的所述绝缘部件的厚度。

4.根据权利要求3所述的嵌入式封装件，其中所述外围区域中的所述绝缘部件形成为使其厚度在所述凸块的两侧与所述凸块的高度相同，并且从所述凸块的两侧朝着所述单元区域逐渐增加。

5.根据权利要求4所述的嵌入式封装件，其中所述外围区域中形成的所述绝缘部件具有直线斜面。

6.根据权利要求5所述的嵌入式封装件，其中由所述凸块的上表面和所述外围区域中形成的所述绝缘部件的上表面形成的夹角是钝角。

7.根据权利要求4所述的嵌入式封装件，其中所述外围区域中形成的所述绝缘部件具有台阶形状。

8.根据权利要求4所述的嵌入式封装件，其中所述外围区域中形成的所述绝缘部件具有弯曲斜面。

9.根据权利要求3所述的嵌入式封装件，其中所述外围区域中形成的所述绝缘部件的厚度与所述凸块的高度相同。

10.根据权利要求1所述的嵌入式封装件，还包括：

阻焊图案，形成在所述绝缘部件和所述电路配线之上，并且露出所述电路配线的一部分；以及

外连端子，安装到所述电路配线通过所述阻焊图案露出的部分。

11.根据权利要求1所述的嵌入式封装件，其中所述单元区域分成至少两个部分，并且所述外围区域形成在所述部分之间。

12.一种嵌入式封装件的制造方法，包括：

制备半导体芯片，所述半导体芯片包括单元区域中的第一表面上形成的集成电路、外围区域中的所述第一表面上形成的接合焊盘以及所述接合焊盘之上形成的凸块；

将所述半导体芯片的背向所述第一表面的第二表面连接到芯层；

在所述半导体芯片和所述芯层之上形成绝缘部件，所述绝缘部件具有露出所述凸块的开口，其中所述单元区域中形成的所述绝缘部件的厚度大于所述凸块的高度；以及

直接在所述绝缘部件上形成电路配线，以电连接到所述凸块。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述绝缘部件和形成所述电路配线包括：

在所述芯层之上放置初始的绝缘部件，所述初始的绝缘部件具有第三表面和背向所述第三表面的第四表面，并且在所述第三表面上形成有导电层，使所述第四表面面对所述半导体芯片；

采用模子在所述半导体芯片和所述芯层之上层叠所述初始的绝缘部件，所述模子具有对应于所述外围区域的凸起，以使所述导电层电连接到所述凸块；以及

图案化所述导电层，并且形成所述电路配线。

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述绝缘部件包括：

在所述半导体芯片和所述芯层之上放置初始的绝缘部件；以及

采用具有对应于所述外围区域的凸起的模子在所述半导体芯片和所述芯层之上层叠所述初始的绝缘部件，从而露出所述凸块。

15.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述绝缘部件包括：

在所述半导体芯片和所述芯层之上放置初始的绝缘部件；

在所述芯层和所述半导体芯片之上层叠所述初始的绝缘部件，并且形成覆盖所述凸块的所述绝缘部件；以及

去除所述绝缘部件在所述外围区域中的部分，从而露出所述凸块。