[发明专利]半导体结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201210043382.7 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103296060A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 金宥宪;徐志嘉;黄胤富 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括一第一导电型的衬底、一形成于衬底中的第二导电型的阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一场氧化物、一第一介电层以及一第二介电层。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区中。场氧化物形成于阱区的表面区域，且位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第一介电层形成于阱区的表面区域，且覆盖场氧化物的一边缘部分，第一介电层具有一第一厚度。第二介电层形成于阱区的表面区域，第二介电层具有一第二厚度。第二厚度小于第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一导电型的衬底；一第二导电型的阱区，形成于该衬底中；一第一掺杂区与一第二掺杂区，形成于该阱区中；一场氧化物，形成于该阱区的表面区域，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；一第一介电层，形成于该阱区的表面区域，且覆盖该场氧化物的一边缘部分，该第一介电层具有一第一厚度；以及一第二介电层，形成于该阱区的表面区域，该第二介电层具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。
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