[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210038549.0 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103258845A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体区、第二半导体区、介电结构与栅电极层。第一半导体区具有第一导电型。第二半导体区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一半导体区是邻接第二半导体区。介电结构位于第一半导体区与第二半导体区上。栅电极层位于介电结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一半导体区，包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，其中该第一半导体区、该第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第一导电型；一第二半导体区，包括一第三掺杂区，其中该第二半导体区与该第三掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第二掺杂区邻接在该第一掺杂区与该第三掺杂区之间，该第二掺杂区具有一掺杂扩散部，从该第二掺杂区的顶部向该第三掺杂区延伸，该掺杂扩散部具有该第一导电型；一介电结构，位于该第一半导体区与该第二半导体区上；以及一栅电极层，位于该介电结构上。
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