[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210038549.0 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103258845A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一第一半导体区，包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，其中该第一半导体区、该第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第一导电型；
一第二半导体区，包括一第三掺杂区，其中该第二半导体区与该第三掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第二掺杂区邻接在该第一掺杂区与该第三掺杂区之间，该第二掺杂区具有一掺杂扩散部，从该第二掺杂区的顶部向该第三掺杂区延伸，该掺杂扩散部具有该第一导电型；
一介电结构，位于该第一半导体区与该第二半导体区上；以及
一栅电极层，位于该介电结构上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体区更包括一顶掺杂区，形成于该第一掺杂区的顶部份中，该顶掺杂区具有该第一导电型。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体区更包括一顶掺杂区，形成于该第二掺杂区的顶部份中，该顶掺杂区具有该第一导电型。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二掺杂区的第一导电型掺杂质的净浓度小于该第一掺杂区的第一导电型掺杂质的净浓度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该介电结构包括一第一介电层与一第二介电层，该第一介电层邻接该第二介电层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该第一介电层具有均一的一第一厚度，该第二介电层具有均一的一第二厚度，该第一厚度小于该第二厚度。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该第一介电层与该第二介电层具有一平整的共享底表面。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括至少一个场板掺杂区，形成于该介电结构下方的该第一半导体区中，其中该场板掺杂区具有该第二导电型。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该栅电极层具有多个互相分开的凸出部，该多个凸出部是对应多个该场板掺杂区。
10.一种半导体结构的形成方法，包括：
形成一第一半导体区于一衬底中，其中该第一半导体区包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，该第一半导体区、该第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第一导电型；
形成一第二半导体区于该衬底中，其中该第二半导体区包括一第三掺杂区，该第二半导体区与该第三掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第二掺杂区邻接在该第一掺杂区与该第三掺杂区之间，该第二掺杂区具有一掺杂扩散部，从该第二掺杂区的顶部向该第三掺杂区延伸，该掺杂扩散部具有该第一导电型；
形成一介电结构于该第一半导体区与该第二半导体区上；以及
形成一栅电极层于该介电结构上。
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