[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210021446.3 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103227171A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈建志;陈立凡;林正基;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电结构与第二导电结构。第一掺杂区包括第一接触区。第一掺杂区与第一接触区具有第一导电型。第二掺杂区包括第二接触区。第二掺杂区与第二接触区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一掺杂区是邻近第二掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，包括一第一接触区，其中该第一掺杂区与该第一接触区具有一第一导电型；以及一第二掺杂区，包括一第二接触区，其中该第二掺杂区与该第二接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第一掺杂区是邻近该第二掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
