[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一掺杂区，包括一第一接触区，其中该第一掺杂区与该第一接触区具有一第一导电型；以及

一第二掺杂区，包括一第二接触区，其中该第二掺杂区与该第二接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第一掺杂区是邻近该第二掺杂区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体结构为一静电放电防护装置。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第一导电结构，是与该第一接触区电性连接，其中该第一导电结构是用以将一电流导向该第一接触区。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第二导电结构，是与该第二接触区电性连接，其中该第二导电结构是用以将一电流导离该第二接触区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一介电结构，形成于该第一掺杂区上，其中该第一接触区是由该介电结构所定义出。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一介电结构，形成于该第一掺杂区上，其中该介电结构包括一第一介电部份与一第二介电部份，该第一接触区是介于该第一介电部份与该第二介电部份之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掺杂区更包括：

一第一体掺杂部份；以及

一侧掺杂部份，其中该第一体掺杂部份与该侧掺杂部份具有该第一导电型，该侧掺杂部份是邻近在该第一体掺杂部份与该第二掺杂区之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该侧掺杂部份包括一第一次侧部份与一第二次侧部份，其中该第一次侧部份与该第二次侧部份具有该第一导电型，该第二次侧部份被形成于该第一次侧部份中。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第一掺杂埋藏区，位于该第二掺杂区下，其中该第一掺杂埋藏区具有该第一导电型。

10.一种半导体结构的制造方法，包括：

于一衬底中形成一第一掺杂区，其中该第一掺杂区包括一第一接触区，该第一掺杂区与该第一接触区具有一第一导电型；以及

于该衬底中形成一第二掺杂区，其中该第二掺杂区包括一第二接触区，该第二掺杂区与该第二接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第一掺杂区是邻近该第二掺杂区。