[发明专利]一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法有效
| 申请号： | 201210018209.1 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102543856A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;李程;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其中，包括如下具体步骤：步骤a、于一存在图形缺陷的铝互联结构表面形成一第一阻挡层；步骤b、对所述铝互联结构进行刻蚀，直至所述铝互联结构被去除；步骤c、去除刻蚀后表面的残留物质；步骤d、使刻蚀后表面平整。本发明的有益效果是：本发明的有益效果是：采用本发明所提供的方法，可以对受到铝线图形缺陷影响的布线层进行重做，从而避免了晶圆的报废。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 图形 缺陷 修补 方法 | ||
【主权项】：
一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，包括如下具体步骤：步骤a、于一存在图形缺陷的铝互联结构表面形成一第一阻挡层；步骤b、对所述铝互联结构进行刻蚀，直至所述铝互联结构被去除；步骤c、去除刻蚀后表面的残留物质；步骤d、使刻蚀后表面平整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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