[发明专利]一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法有效
| 申请号： | 201210018209.1 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102543856A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;李程;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 图形 缺陷 修补 方法 | ||
1.一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
步骤a、于一存在图形缺陷的铝互联结构表面形成一第一阻挡层；
步骤b、对所述铝互联结构进行刻蚀，直至所述铝互联结构被去除；
步骤c、去除刻蚀后表面的残留物质；
步骤d、使刻蚀后表面平整。
2.如权利要求1所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，所述铝互联结构从上到下依次为：绝缘抗反射层、第二阻挡层、铝层、第三阻挡层。
3.如权利要求1所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，步骤c中去除刻蚀后表面残留物质的方法为化学清洗。
4.如权利要求1所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，步骤d中平整刻蚀后表面的方法为化学机械研磨。
5.如权利要求2所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，所述第一阻挡层材质为底部抗反射层聚合物。
6.如权利要求5所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，第二阻挡层材质为钛或氮化钛，所述第三阻挡层材质为钛或氮化钛。
7.如权利要求6所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，所述步骤b中刻蚀所述铝互联结构的具体方法包括如下步骤：
步骤b1、刻蚀所述绝缘抗反射层和第二阻挡层，直至所述绝缘抗反射层与所述第二阻挡层被去除；
步骤b2、刻蚀所述铝层，直至所述铝层被去除；
步骤b3、刻蚀所述第三阻挡层，使所述第三阻挡层被去除，并过刻蚀一定量的第三阻挡层的下层物质；
步骤b4、使用刻蚀机台自带的去胶腔进行剩余第一阻挡层和生成聚合物的去除。
8.如权利要求7所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，所述步骤b1中刻蚀所述绝缘抗反射层采用Cl2气体和CHF3气体，刻蚀所述第二阻挡层采用Cl2气体和BCl3气体，并采用TixCly离子光谱侦测刻蚀终点。
9.如权利要求7所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，所述步骤b2中刻蚀所述铝层采用Cl2气体和BCl3气体，并采用AlxCly离子光谱强度侦测刻蚀终点。
10.如权利要求7所述铝刻蚀图形缺陷的修补方法，其特征在于，所述步骤b3中刻蚀所述第三阻挡层采用Cl2气体和BCl3气体，并采用TixCly离子光谱强度侦测刻蚀终点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210018209.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
