[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201180073630.6 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103828056A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 樽井阳一郎;末川英介;油谷直毅;日野史郎;三浦成久;今泉昌之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在碳化硅半导体装置的MOSFET中，同时实现源极区域的低电阻化和栅极氧化膜的漏电流的降低。在MOSFET的栅极氧化膜（6）中产生的漏电流，通过使源极区域（4）和栅极氧化膜（6）的界面的粗糙部减小而受到抑制。在提高源极区域（4）的表面部分的杂质浓度的情况下，栅极氧化膜（6）通过干式氧化或CVD法而形成。在栅极氧化膜（6）通过湿式氧化形成的情况下，将源极区域（4）的表面部分的杂质浓度抑制得较低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有MOSFET，该MOSFET具有：阱区域，其形成在碳化硅半导体层的上表面部分；源极区域，其形成在所述阱区域的上表面部分；栅极氧化膜，其形成在所述阱区域以及所述源极区域上；以及栅极电极，其形成在所述栅极氧化膜上，所述源极区域的上表面部分处的杂质浓度小于或等于1×1018cm‑3。
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