[发明专利]氮化镓结晶、13族氮化物结晶、结晶基板、以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201180023952.X | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102892933B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 南部洋志;岩田浩和;佐藤隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/00;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明制造了可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。本发明的氮化镓结晶的特征在于，其c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上。通过使该长尺寸的针状晶体变肥大，能够制造体积大的大块晶体，从而能够制造出可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 结晶 13 氮化物 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓结晶，其具备第一氮化镓结晶和光学特性与所述第一氮化镓结晶不同的第二氮化镓结晶，所述第一氮化镓结晶中，与c轴垂直的截面的形状为六边形或近六边形，c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上，在室温下通过电子射线或紫外光激发的发光光谱中，所述第一氮化镓结晶包含在500nm～800nm波长范围的发光、且发光强度的峰值在600nm～650nm的波长范围，所述第二氮化镓结晶不含在500nm～800nm波长范围的发光。
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