[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201180019734.9 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102859701A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 三木绫;岩成裕美;钉宫敏洋;森田晋也;寺尾泰昭;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 氧化物 溅射 以及 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。
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