[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201180019734.9 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102859701A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 三木绫;岩成裕美;钉宫敏洋;森田晋也;寺尾泰昭;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 氧化物 溅射 以及 | ||
1.一种薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的氧化物，其中，在将半导体层用氧化物中所含的Zn和Sn的含量(原子％)分别作为[Zn]和[Sn]时，[Zn]/([Zn]+[Sn])的比为0.8以下。
3.根据权利要求1所述的氧化物，其中，作为所述X群的元素含有Ga时，在将半导体层用氧化物中所含的Ga的含量(原子％)作为[Ga]时，[Ga]/([Zn]+[Sn]+[Ga])的比为0.01以上0.5以下，作为所述X群的元素含有Ga以外的元素(Xl)时，在将半导体层用氧化物中所含的Xl的合计量(原子％)作为[Xl]时，[Xl]/([Zn]+[Sn]+[Xl])的比为0.01以上0.3以下。
4.根据权利要求2所述的氧化物，其中，作为所述X群的元素含有Ga时，在将半导体层用氧化物中所含的Ga的含量(原子％)作为[Ga]时，[Ga]/([Zn]+[Sn]+[Ga])的比为0.01以上0.5以下，作为所述X群的元素含有Ga以外的元素(Xl)时，在将半导体层用氧化物中所含的Xl的合计量(原子％)作为[Xl]时，[Xl]/([Zn]+[Sn]+[Xl])的比为0.01以上0.3以下。
5.一种薄膜晶体管，其具备权利要求1～4中任一项所述的氧化物作为薄膜晶体管的半导体层。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层的密度为5.8g/cm3以上。
7.一种溅射靶，是用于形成权利要求1～4中任一项所述的氧化物的溅射靶，其中，含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。
8.根据权利要求7所述的溅射靶，其中，在将溅射靶中所含的Zn和Sn的含量(原子％)分别作为[Zn]和[Sn]时，[Zn]/([Zn]+[Sn])的比为0.8以下。
9.根据权利要求7所述的溅射靶，其中，作为所述X群的元素含有Ga时，在将溅射靶中所含的Ga的含量(原子％)作为[Ga]时，[Ga]/([Zn]+[Sn]+[Ga])的比为0.01以上0.5以下，作为所述X群的元素含有Ga以外的元素(Xl)时，在将溅射靶中所含的Xl的合计量(原子％)作为[X1]时，[X1]/([Zn]+[Sn]+[X1])的比在0.01以上0.3以下。
10.根据权利要求8所述的溅射靶，其中，作为所述X群的元素含有Ga时，在将溅射靶中所含的Ga的含量(原子％)作为[Ga]时，[Ga]/([Zn]+[Sn]+[Ga])的比为0.01以上0.5以下，作为所述X群的元素含有Ga以外的元素(Xl)时，在将溅射靶中所含的X1的合计量(原子％)作为[X1]时，[X1]/([Zn]+[Sn]+[X1])的比为0.01以上0.3以下。
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