[发明专利]III-V族半导体结构及其形成方法

摘要

本发明的实施例涉及制造半导体结构的方法，并且涉及通过这类方法构成的半导体结构。在一些实施例中，这些方法可用于制造诸如InGaN的III-V族材料的半导体结构。通过使用多组不同的生长条件生长多个子层来制造半导体层，以提高所得层的均一性，提高所得层的表面粗糙度，和/或使所述层能够生长达到经增大的厚度，而应力弛豫并没有开始。

主权项

一种形成包括III‑V族半导体层的半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：生长III‑V族半导体层，所述生长III‑V族半导体层的步骤包括以下步骤：使用第一组生长条件生长第一III‑V族半导体子层，以及使用与所述第一组生长条件不同的第二组生长条件在所述第一III‑V族半导体子层上生长至少第二III‑V族半导体子层，所述第一III‑V族半导体子层和所述至少第二III‑V族半导体子层形成所述III‑V族半导体层，将所述III‑V族半导体层形成为具有大于所述第一III‑V族半导体层的临界厚度并且小于所述第二III‑V族半导体子层的临界厚度的平均总厚度，以及选择所述第一组生长条件和所述第二组生长条件，使得III族元素掺入所述第一III‑V族半导体子层的生长表面中的净速率至少基本等于III族元素掺入所述至少第二III‑V族半导体子层的生长表面中的净速率，使得所述III‑V族半导体层的成分在所述III‑V族半导体层的整个所述平均总厚度内至少基本恒定。