[发明专利]密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法无效
申请号: | 201110405057.6 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102543901A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 大薮恭也;伊藤久贵;新堀悠纪;佐藤慧 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/31;H01L21/56;H01L33/52 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法,密封构件包括长条的剥离薄膜和由密封树脂构成的、沿剥离薄膜的长度方向以彼此隔着间隔并列配置的方式层叠在剥离薄膜之上的多个密封树脂层。 | ||
搜索关键词: | 密封 构件 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】:
一种密封构件,其特征在于,其包括:剥离薄膜,其为长条状;多个密封树脂层,它们由密封树脂构成,沿上述剥离薄膜的长度方向以彼此隔开间隔并列配置的方式层叠在上述剥离薄膜之上。
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