[发明专利]半导体失效检测结构及形成方法、检测失效时间的方法

摘要

一种导体失效检测结构以及形成方法和检测方法，所述检测结构包括：基底，所述基底具有核心器件区和外围器件区，所述核心器件区的基底上具有分立的第一金属层和待测金属层，通过待测导电插塞相互连接；所述外围器件区的基底上具有若干重叠排布的测试焊盘和若干加载焊盘并通过贯通介质层内的测试导电插塞和加载导电插塞进行连接；在待测金属层的同一层具有焊盘金属层，所述焊盘金属层通过测试导电插塞和加载导电插塞分别与测试焊盘、加载焊盘连接，所述焊盘金属层通过至少两个顶层导电插塞与第一金属层连接。所述检测结构能够在不破坏标准焊盘结构以及不扩大设计区域面积的情况下，提高电迁移检测的准确性。

主权项

一种半导体失效检测结构，其特征在于，包括：基底，所述基底具有核心器件区和位于核心器件区两侧的外围器件区，所述核心器件区的基底上具有分立的第一金属层；所述核心器件区具有待测金属层，通过待测导电插塞与第一金属层进行连接；所述外围器件区的基底上具有若干测试焊盘和若干加载焊盘，所述各测试焊盘重叠排布，且各测试焊盘间由介质层隔离，并通过介质层内的测试导电插塞进行相互间的连接；在各测试焊盘的同一层还具有相应的加载焊盘，各加载焊盘通过介质层内的加载导电插塞进行相互间的连接；在待测金属层的同一层具有焊盘金属层，所述焊盘金属层通过测试导电插塞和加载导电插塞分别与顶层测试焊盘、顶层加载焊盘连接，所述焊盘金属层通过至少两个顶层导电插塞与第一金属层连接。