[发明专利]GaN晶体衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 201110393913.0 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102492992A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 田中仁子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN晶体衬底及其制造方法。所述GaN晶体衬底包括：晶体生长表面；以及与所述晶体生长表面相对的后表面，所述后表面具有满足-35μm≤w(R)≤45μm的翘曲w(R)，所述翘曲w(R)为如下计算值：在分别对应于由二维方向上的位置数据表示的多个测量点的多个位移值中，从相对于最好配合面的一侧上的最大位移值到所述最好配合面的距离与从相对于所述最好配合面的另一侧上的最大位移值到所述最好配合面的距离的总和。所述晶体生长表面具有满足Ra(C)≤10nm的表面粗糙度Ra(C)。所述GaN晶体衬底具有减小翘曲的后表面，并允许在其晶体生长表面上形成具有良好结晶性的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | gan 晶体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN晶体衬底，包括：晶体生长表面；以及与所述晶体生长表面相对的后表面，所述后表面具有满足‑35μm≤w(R)≤45μm的翘曲w(R)，所述翘曲w(R)为如下计算值：在分别对应于由二维方向上的位置数据表示的多个测量点的多个位移值中，从相对于最好配合面的一侧上的最大位移值到所述最好配合面的距离与从相对于所述最好配合面的另一侧上的最大位移值到所述最好配合面的距离的总和，所述晶体生长表面具有满足Ra(C)≤10nm的表面粗糙度Ra(C)。
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