[发明专利]电容器及其形成方法、半导体存储器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110364899.1 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102543964A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 权五成;曹圭镐;金完敦;金汎锡;卓容奭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹;韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了电容器及其形成方法、半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置中的电容器包括：下电极，形成在基板上，所述下电极由具有金红石晶体结构的导电金属氧化物形成；氧化钛介电层，在下电极上，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并包括用于减小漏电流的杂质；上电极，位于氧化钛介电层上。一种形成半导体存储器装置中的电容器的方法包括以下步骤：在基板上形成下电极，所述下电极包括具有金红石晶体结构的导电金属氧化物；在下电极上形成氧化钛介电层，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并具有用于减小漏电流的杂质；在氧化钛介电层上形成上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 形成 方法 半导体 存储器 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置中的电容器，所述电容器包括：下电极，形成在基板上，所述下电极由具有金红石晶体结构的导电金属氧化物形成；氧化钛介电层，形成在下电极上，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并包括用于减小漏电流的杂质；上电极，位于氧化钛介电层上。
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