[发明专利]具有烧结的金属连接的功率半导体模块及制造方法无效

专利信息
申请号: 201110364078.8 申请日: 2011-09-08
公开(公告)号: CN102437140A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: P·桑泰默;A·奥里 申请(专利权)人: 文科泰克控股公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 卢森堡*** 国省代码: 卢森堡;LU
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种具有烧结的金属连接的功率半导体模块及制造方法。该功率半导体模块具有衬底(102)、至少一个功率半导体器件(104)和至少一个引线框元件(106)。本发明还涉及一种制造这种功率半导体模块(100)的方法。按照本发明,该至少一个第一引线框元件和该功率半导体器件之间的连接以及该第一引线框元件和该衬底之间的连接包括烧结金属连接(110),优选烧结银连接。
搜索关键词: 具有 烧结 金属 连接 功率 半导体 模块 制造 方法
【主权项】:
一种功率半导体模块,具有衬底(102)、至少一个功率半导体器件(104)和至少一个第一引线框元件(106),其中该至少一个第一引线框元件(106)在第一表面上连接到该功率半导体器件(104)且在与该第一表面相反的第二表面上连接到该衬底(102),其中该至少一个第一引线框元件和该功率半导体器件之间的连接以及该第一引线框元件和该衬底之间的连接包括烧结金属连接(110)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于文科泰克控股公司,未经文科泰克控股公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110364078.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top