[发明专利]功率半导体组件的终端结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110272130.7 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102468276A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 戴嵩山;蔡宏圣 | 申请（专利权）人： | 大中积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体组件的终端结构及其制作方法。功率半导体组件具有一主动区以及一终端区，且终端区围绕主动区，而终端结构设于终端区内。终端结构包括一半导体基底、一绝缘层以及一金属层。半导体基底具有位于终端区内的一沟槽。绝缘层部分填充于沟槽并覆盖于半导体基底上，且绝缘层的上表面具有一凹洞。金属层设于绝缘层上，且填满凹洞。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 组件 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体组件的终端结构，该功率半导体组件具有一主动区以及一终端区，且该终端区围绕该主动区，而该终端结构设于该终端区内，其特征在于，该终端结构包括：一半导体基底，具有一第一导电类型以及位于该终端区内的一沟槽；一绝缘层，部分填充于该沟槽并覆盖于该半导体基底上，且该绝缘层的上表面具有一凹洞；以及一金属层，设于该绝缘层上，且填满该凹洞。
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