[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110248458.5 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956494A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本发明的半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括P沟道半导体器件，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成栅极电介质层；在栅极电介质层上形成栅极材料层；对栅极材料层进行引入N型掺杂剂的毯式预掺杂；以及对栅极材料层的用于所述P沟道半导体器件的区域进行氟的预掺杂，以使得F能够被引入到衬底和栅极电介质层的用于所述P沟道半导体器件的区域之间的界面。所述半导体装置还包括N沟道半导体器件，其中所述栅极材料层还包括用于N沟道半导体器件的区域。所述P型含F掺杂剂中的P型杂质一部分用于抵消所引入的N型掺杂剂对栅极材料层的影响，另一部分用于调节PMOS栅极材料层的耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置包括P沟道半导体器件，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成栅极电介质层；在栅极电介质层上形成栅极材料层；对栅极材料层进行引入N型掺杂剂的毯式预掺杂；以及对栅极材料层的用于所述P沟道半导体器件的区域进行氟的预掺杂，以使得F能够被引入到衬底和栅极电介质层的用于所述P沟道半导体器件的区域之间的界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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