[发明专利]半导体装置及其驱动方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其驱动方法。提供一种具有非易失性存储单元的半导体装置，该非易失性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容元件。通过使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源电极(或漏电极)、电容元件的一方电极、读出用晶体管的栅电极彼此电连接的节点，然后，通过使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p沟道型晶体管，而将读出电位设定为正的电位。

主权项

一种半导体装置，包括：第一线；第二线；第三线；第四线；以及存储单元，该存储单元包括第一晶体管、第二晶体管以及电容元件，其中，所述第一晶体管为p沟道型晶体管，并包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及第一沟道形成区，所述第二晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以及第二沟道形成区，所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方以及所述电容元件的一方电极彼此电连接而构成保持电荷的节点，所述第一线、所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方以及所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方彼此电连接，所述第二线与所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方彼此电连接，所述第三线与所述第二栅电极彼此电连接，并且，所述第四线与所述电容元件的另一方电极彼此电连接。