[发明专利]半导体装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一线；

第二线；

第三线；

第四线；以及

存储单元，该存储单元包括第一晶体管、第二晶体管以及电容元件，

其中，所述第一晶体管为p沟道型晶体管，并包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及第一沟道形成区，

所述第二晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以及第二沟道形成区，

所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方以及所述电容元件的一方电极彼此电连接而构成保持电荷的节点，

所述第一线、所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方以及所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方彼此电连接，

所述第二线与所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方彼此电连接，

所述第三线与所述第二栅电极彼此电连接，

并且，所述第四线与所述电容元件的另一方电极彼此电连接。

2.一种半导体装置，包括：

第一线；

第二线；

第三线；以及

存储单元，该存储单元包括第一晶体管和第二晶体管，

其中，所述第一晶体管为p沟道型晶体管，并包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及第一沟道形成区，

所述第二晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以及第二沟道形成区，

所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方彼此电连接而构成保持电荷的节点，

所述第一线、所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方以及所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方彼此电连接，

所述第二线与所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方彼此电连接，

并且，所述第三线与所述第二栅电极彼此电连接。

3.一种半导体装置，包括：

甲第一线和乙第一线；

第二线；

第三线；

第四线；以及

第一存储单元和第二存储单元，该第一存储单元和该第二存储单元分别包括：

第一晶体管；

第二晶体管；以及

电容元件，

其中，所述第一晶体管为p沟道型晶体管，并包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及第一沟道形成区，

所述第二晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以及第二沟道形成区，

所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方以及所述电容元件的一方电极彼此电连接而构成保持电荷的节点，

所述第二线与所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方彼此电连接，

所述第三线与所述第二栅电极彼此电连接，

所述第四线与所述电容元件的另一方电极彼此电连接。

所述第一存储单元中的所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方及所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方电连接到所述甲第一线，

并且，所述第二存储单元中的所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方及所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方电连接到所述乙第一线。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一沟道形成区包含与所述第二沟道形成区不同的半导体材料。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一沟道形成区包含与所述第二沟道形成区不同的半导体材料。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一沟道形成区包含与所述第二沟道形成区不同的半导体材料。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二沟道形成区包含氧化物半导体。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第二沟道形成区包含氧化物半导体。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二沟道形成区包含氧化物半导体。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二晶体管设置为与所述第一晶体管的至少一部分重叠。

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第二晶体管设置为与所述第一晶体管的至少一部分重叠。

12.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二晶体管设置为与所述第一晶体管的至少一部分重叠。