[发明专利]金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法无效
| 申请号： | 201110197871.3 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102244002A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吴春艳;揭建胜;王莉;于永强;胡治中;张梓晗;周国方 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电场，金属纳米线被吸附到施加交流电场的金属薄膜电极对上，所述金属纳米线与所述半导体纳米线相交呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管或以金属纳米线作为栅极的金属-半导体场效应管在内的电子元件、光学元件中如纳米光电探测器、气体传感器、太阳能电池等。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 半导体 纳米 交叉 结构 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，其特征在于：将半导体纳米线(3)水平分散在覆有绝缘层(2)的硅片(1)上，通过一次紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极(4)通过所述半导体纳米线(3)连通，所述金属薄膜电极(4)与半导体纳米线(3)呈欧姆接触；将分散有金属纳米线(5)的悬浮液滴在绝缘层(2)上，对另一对金属薄膜电极(6)施加交流电场，使金属纳米线(5)吸附到金属薄膜电极(6)上，所述金属纳米线(5)与所述半导体纳米线(3)相交，呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
