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[发明专利]一种合金薄膜压敏芯片及其制备方法-CN202310802246.X在审
发明人：余浪;周国方;禹宇;蓝镇立;何峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种合金薄膜压敏芯片及其制备方法，该芯片包括基底，在基底上依次设有缓冲层、绝缘层、氧化硅层、功能材料层和保护层，绝缘层为氧化铝和氧化硅的混合膜。其制备方法包括依次在基底上制备缓冲层、绝缘层、氧化硅层、功能材料层和保护层。本发明中，以由氧化铝和氧化硅混合而得薄膜作为绝缘层，不仅能够提升芯片的介质耐电压能力，而且能够提高芯片的稳定性，具有介质耐电压能力强、结构稳定性好等优点，同时还具有精度高、温漂小等优点，达到了国际先进水平，在恶劣环境中适应性非常好，可以满足高铁、航天等领域更高的应用要求。本发明制备方法具有成本低、效率高、工艺可控等优点，可用于批量化生产，适合于工业化应用。
一种合金薄膜芯片及其制备方法

[发明专利]一种抗静电耐高电压合金薄膜压敏芯片及其制备方法-CN202211455986.2在审
发明人：余浪;周国方;何峰;杨晓生;蓝镇立 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗静电耐高电压合金薄膜压敏芯片及其制备方法，该芯片包括基底，以及在基底上依次制备缓冲层、第一氧化铝薄膜、第一氧化硅薄膜、第二氧化铝薄膜、第二氧化硅薄膜、敏感层和保护层。本发明合金薄膜压敏芯片，采用的复合绝缘层的介质耐电压可达到800V以上，抗静电性能达到6000V以上，作为合金薄膜压敏芯片的绝缘层，能显著提升其抗静电性能和介质耐电压能力，能够满足高铁、航天等领域的实际应用要求，且本发明合金薄膜压敏芯片还具有精度高、温漂小、稳定性好等优点，达到了国际先进水平。本发明制备方法具有工艺简单、操作方便、生产效率高等优点，对于扩大薄膜压力传感器在高铁、航天等领域中的广泛应用具有重要意义。
一种抗静电电压合金薄膜芯片及其制备方法

[发明专利]一种金属基底热流传感器及其制备方法-CN202211303529.1在审
发明人：张浩;张月鑫;余浪;曾庆平;周国方 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01K17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属基底热流传感器及其制备方法，该金属基底热流传感器包括金属基底，其上设有电气隔离层、热电偶功能层、高温防护层、热障层，其中电气隔离层是由NiCrAlY薄膜、钇稳定氧化锆薄膜和Al2O3薄膜堆叠而成的复合陶瓷绝缘层。其制备方法包括依次在金属基底上制备电气隔离层、热电偶功能层、高温防护层、热障层。本发明金属基底热流传感器具有测量热流大、耐高温性能优异、测量精度高、稳定性好等优点，可广泛用于监控航空航天发动机各个高温部件在高温条件下的热传输及热流分布，使用价值高，应用前景好。同时，本发明制备方法具有制备工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，适合于大规模制备，利于工业化应用。
一种金属基底热流传感器及其制备方法

[发明专利]高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法-CN202211304478.4在审
发明人： 周国方;余浪;何峰;杨晓生;曾庆平;蓝镇立 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明中公开了一种高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法，该复合绝缘膜包括由下而上依次堆叠而成的五氧化二钽薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜，具有介质耐电压性能优异、薄膜应力小、致密性好、粘附性好等优点，将其作为功能材料层和基底材料之间的绝缘层时所构建的合金薄膜压敏芯体，不仅具有介质耐电压高的优点，还具有检测精度高、灵敏度高、在恶劣环境下可靠性好等优点，能够满足高铁列车用特种压力监测的需求，同时在同一真空腔体中进行制备，能够制得薄膜应力小、致密性好、粘附性好的薄膜，进而可获得性能更加优异的合金薄膜压敏芯体。
介质电压复合绝缘及其制备方法合金薄膜压敏芯体

[发明专利]集温度、应变和热流测试功能为一体的耐高温薄膜传感器及其制备方法-CN202210923490.7在审
发明人：余浪;车颜贤;张浩;何峰;杨晓生;周国方 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集温度、应变和热流测试功能为一体的耐高温薄膜传感器及其制备方法，该耐高温薄膜传感器包括基底以及其表面设置的高温胶层、Ta2O5薄膜层和SiO2薄膜层，以及第一薄膜热电偶、热电偶堆和应变敏感栅，且表面覆盖有保护层。其制备方法包括：在基底表面制备上述各薄膜层。与常规耐高温薄膜传感器相比，本发明耐高温薄膜传感器，具有更加优异的耐高温性能和结构稳定性，使用寿命更长，测量精度更高，可同时用于测量涡轮叶片在高工作温度、高转速下的工作参数(如温度、应变、热流等)，使用价值高，应用前景好，其制备方法具有工艺简单、操作方便、制备成本低廉、良品率高等优点，适合于大规模制备，利于工业化应用。
温度应变热流测试功能一体耐高温薄膜传感器及其制备方法

[发明专利]SOI压力传感器压敏电阻及其制作方法、SOI压力传感器-CN201911205158.1有效
发明人：曾庆平;金忠;张浩;何峰;周国方;丁玎;吴迪 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI压力传感器压敏电阻及其制作方法、SOI压力传感器，其制作方法包括以下步骤：制备注入缓冲保护层，制备注入阻挡层；P型掺杂，退火，形成P型重掺杂区；采用湿法刻蚀去除非P型重掺杂区，得到SOI压力传感器压敏电阻。本发明SOI压力传感器压敏电阻由上述方法制得。本发明SOI压力传感器包括P型重掺杂压阻，该P型重掺杂压阻为上述的SOI压力传感器压敏电阻。本发明SOI压力传感器压敏电阻的制作方法具有成本低廉、刻蚀精度高、一致性好、量产效率高、二次污染少等优点，制得的压敏电阻表面平直光滑，可广泛用作SOI压力传感器的压阻，有着很高的使用价值和良好的应用前景。
soi 压力传感器压敏电阻及其制作方法

[发明专利]一种发动机叶片薄膜温度传感器及其制备方法-CN202111642515.8在审
发明人：张浩;车颜贤;余浪;周国方;丁玎;何峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01K7/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种发动机叶片薄膜温度传感器及其制备方法，该传感器包括发动机叶片，在其上依次设有绝缘层和热电偶薄膜，热电偶薄膜由热电偶A和热电偶B搭接而成，搭接部分构成热电偶热端，热电偶A和热电偶B的另一端分别设有焊盘A和焊盘B，二者之间设有用于测量热电偶冷端温度的补偿电阻薄膜。其制备方法包括对发动机叶片进行研磨、清洗；制备绝缘层、热电偶A、热电偶B和补偿电阻薄膜。本发明发动机叶片薄膜温度传感器具有测量温度高、测量精度高、适用性强等优点，使用价值高，应用前景好，其制备方法具有制备工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，适合于大规模制备，利于工业化应用。
一种发动机叶片薄膜温度传感器及其制备方法

[发明专利]一种氮氧化钛薄膜压力传感器及其制造方法-CN202111387954.9在审
发明人：蓝镇立;何峰;周国方;车颜贤 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮氧化钛薄膜压力传感器及其制造方法，该传感器的制造方法包括依次在弹性元件上制备绝缘薄膜、应变电阻、引线焊盘和保护层，其中应变电阻由氮氧化钛薄膜制备而成，氮氧化钛薄膜是以氮化钛为靶材，通过溅射方法制备得到。与现有常规氮氧化钛薄膜压力传感器，本发明制得的氮氧化钛薄膜压力传感器中，氮氧化钛薄膜中各成分含量均匀性比例小，致密性好，结构稳定，这使得本发明氮氧化钛薄膜压力传感器具有更好的稳定性和可靠性，是一种性能更加优异的新型薄膜压力传感器，使用价值高，应用前景好。
一种氧化薄膜压力传感器及其制造方法

[发明专利]发动机叶片薄膜传感器用高温绝缘层及其制备方法-CN202111161291.9在审
发明人：张浩;余浪;周国方;丁玎;何峰;曾庆平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种发动机叶片薄膜传感器用高温绝缘层及其制备方法，该高温绝缘层包括由下至上依次设置的叶片基底层、高温氧化层、Al2O3薄膜层、Ta2O5薄膜层和Si3N4薄膜层，制备方法包括真空热处理及高温氧化、Al2O3薄膜层的制备、Ta2O5薄膜层的制备、Si3N4薄膜层的制备和高温热处理。本发明的高温绝缘层薄膜致密、缺陷少，能减少高温下因薄膜缺陷导致的漏电流，制备方法简单易行，成本较低。
发动机叶片薄膜传感器用高温绝缘及其制备方法

[发明专利]一种表面改性涂层及其制备方法和应用-CN201811571097.6有效
发明人：丁玎;何峰;周国方;张浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面改性涂层及其制备方法和应用，该涂层由内至外包括内层的多孔Ti涂层和外层的Ta‑O层；该涂层的制备方法包括：以钛粉为原料，采用等离子喷涂在基材表面制备多孔结构的钛涂层；以Ta为靶材，并通过氧气，采用离子束溅射镀膜法在多孔钛涂层表面制备Ta‑O涂层。本发明的涂层可用于制备硬组织的修复与替换材料。本发明的涂层兼具良好耐磨、抗蚀性能及低弹性模量，且与基体材料结合紧密、应力小。
一种表面改性涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种CMOS温度传感电路及MEMS温度传感器系统-CN201811563630.4有效
发明人：丁玎;周国方;曾庆平;张浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS温度传感电路，包括依次相连的电流产生模块、电流/电压转换模块、电压比较模块和占空比调节模块；电流产生模块用于产生随温度成正比的电流信号，电流信号经电流/电压转换模块置换为电压信号，电压信号输入至电压比较模块产生高低电平信号，高低电平信号经占空比调节模块转换为占空比信号，并返回至电流产生模块以控制输出的电流。本发明还公开了一种MEMS温度传感器系统，包括温度传感器和如上所述的CMOS温度传感电路，温度传感器与CMOS温度传感电路相连，温度传感器用于生成随温度变化的电流信号，CMOS温度传感电路用于接收电流信号并生成与温度信号呈正比的占空比信号。本发明的电路和系统均具有集成度高和灵敏度高等优点。
一种 cmos 温度传感电路 mems 温度传感器系统

[发明专利]一种氢气敏感芯体制备方法及应用-CN202010311803.4在审
发明人：张浩;丁玎;何峰;曾庆平;周国方 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢气敏感芯体制备方法，包括以下步骤：S01、在硅基底表面形成四个电阻图形；S02、在硅基底表面镀制钯合金薄膜，形成钯合金电阻；S03、在空气中进行高温热处理；S04、在硅基底上形成绝缘层氧化物薄膜图形；S05、镀制绝缘层氧化物薄膜，形成与绝缘层氧化物薄膜图形相匹配的绝缘层氧化物薄膜；S06、在氢气中进行高温热处理；S07、在硅基底表面形成焊盘图形；S08、在硅基底上镀制Au薄膜，形成Au焊盘；四个钯合金电阻通过Au焊盘依次连接形成惠斯通全桥。本发明还公开了一种如上所述制备方法制备得到的氢气敏感芯体。本发明的氢气敏感芯体制备方法及氢气敏感芯体具有稳定性好、精度高等优点。
一种氢气敏感体制方法应用

[发明专利]嵌入式柔性基体薄膜烧蚀传感器及其制备方法-CN201611066228.6有效
发明人：陈伟;张龙赐;陈浩;周国方 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G01N27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式柔性基体薄膜烧蚀传感器及其制备方法。该嵌入式柔性基体薄膜烧蚀传感器包括柔性基体，柔性基体的表面为沟槽阵列；沟槽阵列的凹槽中依次沉积有过渡层、烧蚀层和保护层。其制备方法包括在柔性基体表面制备沟槽阵列的掩膜图形，在柔性基体表面制备沟槽阵列，依次沉积过渡层、烧蚀层、保护层。本发明的嵌入式柔性基体薄膜烧蚀传感器能同时测量绝热层烧蚀温度和烧蚀速率，具有测量精度高、可靠性好、抗环境干扰能力强、响应快速且易安装的优点，解决了现有技术中存在的精度和可靠性不能满足实际需要求，敏感元件线条易断裂、薄膜易脱落等问题，同时其制备方法具有工艺简单、成本低的优点，可实现薄膜烧蚀敏感元件的批量生产。
嵌入式柔性基体薄膜传感器及其制备方法

[发明专利]一种热流传感器及其制备方法-CN201910389245.0在审
发明人：丁玎;何峰;周国方;张浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01K17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种热流传感器，包括一体化烧结而成电极和测头；测头的测量面上直接淀积有热电堆，热电堆的两端分别淀积于电极的端面上；热电堆包括多个串联的热电偶单元，热电偶单元包括相互连接的冷节点和热节点；测量面上淀积有热阻层；各冷节点和热节点的一部分均置于热阻层与测量面之间；热电堆及热阻层上均淀积有保护膜。本发明的热流传感器具有响应速度快、灵敏度高及结构简单等优点。本发明还公开了制备方法，包括：S01、将电极与陶瓷、玻璃粉末进行烧结制备形成一体化结构；S02、通过离子束溅射工艺在测量面上直接镀膜形成热电堆和热阻层；S03、再淀积保护膜。本发明的制备方法具有工艺简单等优点。
热电堆淀积热阻层制备热流传感器电极热电偶单元测量保护膜冷节点热节点测头离子束溅射一体化结构一体化烧结玻璃粉末灵敏度烧结测量面镀膜串联陶瓷响应

[发明专利]一种冗余压力传感器及制备方法-CN201811562809.8在审
发明人：蓝镇立;谢锋;周国方;谢明 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种冗余压力传感器，包括弹性元件和引压元件，弹性元件的背面设有压力腔，压力腔与弹性元件的正面之间形成弹性膜片；压力腔正对的弹性元件的正面制备有多个相互独立的应变电桥；弹性元件的背面周侧与引压元件密封连接，引压元件上设置有与压力腔相连通的引压孔。本发明的压力传感器具有体积小、重量轻等优点。本发明还公开了一种制备方法，包括步骤：S01、在弹性元件的背面开设压力腔，压力腔与弹性元件的正面之间形成弹性膜片；S02、在弹性膜片上制作多个应变电桥，形成芯片；S03、将芯片中的弹性元件的背面周侧与引压元件焊接形成密封腔；S04、引线封装，完成装配。本发明的方法具有工艺简单、操作简便等优点。
弹性元件压力腔压力传感器背面弹性膜片制备应变电桥冗余芯片引线封装元件焊接元件密封密封腔体积小引压孔重量轻正对装配制作

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