[发明专利]半导体集成电路器件以及半导体集成电路器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路器件以及半导体集成电路器件的制造方法。与纯粹的内部电路不同，LSI中包含的高击穿电压MOSFET的高击穿电压电路由于与外部的关系而具有固定在高状态中的操作电压，并且因此与普通情况不同，不可以应用通过电压降低进行的微型化。因此，内部电路部分的电压降低导致进一步加大芯片内的占用面积。本发明人评估了针对该问题的各种措施，并且清楚了：如与CMOSFET电路配置和器件配置等的兼容性之类的问题构成了障碍。本发明是具有N沟道型MISFET和P沟道型MISFET的半导体集成电路器件，每种MISFET被提供有在沟道表面上的波状起伏，其中与P沟道型MISFET的沟道表面上提供的波状起伏的间距相比，N沟道型MISFET的沟道表面上提供的波状起伏具有较窄的间距。

主权项

一种半导体集成电路器件，包括：(a)具有第一主表面和第二主表面的半导体衬底；(b)提供在所述半导体衬底的所述第一主表面之上的第一N沟道型MISFET和第一P沟道型MISFET；(c)在所述第一N沟道型MISFET的第一沟道区域的表面之上提供使得沿沟道宽度方向布置的第一波状起伏；(d)在所述第一P沟道型MISFET的第二沟道区域的表面之上提供使得沿所述沟道宽度方向布置的第二波状起伏，其中所述第一波状起伏的间距比所述第二波状起伏的间距短。