[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110192485.5 申请日: 2011-06-28
公开(公告)号: CN102315178A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 征矢野伸 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/04
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置。根据本发明的半导体装置包括:金属基底;树脂外壳,该树脂外壳具有面对金属基底的接合面;涂敷槽,该涂敷槽形成在接合面中且保持用于将树脂外壳与金属基底在预定位置接合的粘合剂,形成涂敷槽的壁的顶面与包含接合面的面相隔开,使得在金属基底和树脂外壳之间形成逃逸空间;逃逸空间,该逃逸空间接纳从涂敷槽流出的多余的粘合剂;接纳槽,该接纳槽与逃逸空间连通且可靠地接纳逃逸空间未能接纳的多余的粘合剂。即使涂敷了对于接纳槽的接纳而言过多的多余粘合剂,也可在止挡槽中接纳多余的粘合剂并防止进一步流出。根据本发明的半导体装置便于确保树脂外壳和金属基底之间的足够的接合强度并实质上防止粘合剂从接合区域流出。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:金属基底;框形树脂外壳,该框形树脂外壳与所述金属基底接合以形成容纳半导体芯片的空间;粘合剂涂敷槽,该粘合剂涂敷槽在预定位置保持有粘合剂,以将所述树脂外壳与所述金属基底接合,所述粘合剂涂敷槽在所述树脂外壳的面对所述金属基底的接合面中形成,所述粘合剂涂敷槽沿着所述接合面的整个外周侧连续延伸;以及粘合剂逃逸空间,该粘合剂逃逸空间在所述粘合剂涂敷槽的侧壁的顶面和所述金属基底之间形成,所述顶面与包含所述接合面的平面相隔开,以将涂敷至所述粘合剂涂敷槽的多余的粘合剂引入并接纳在该粘合剂逃逸空间中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110192485.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top