[发明专利]非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201110180001.5 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102347371A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;中村广记 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法，可增大浮置—控制栅极间的电容，该非易失性半导体存储器晶体管具备：岛状半导体，从硅衬底侧依序形成源极区域、沟道区域及漏极区域；浮置栅极，以包围沟道区域的外周的方式使隧穿绝缘膜介设配置于其间；控制栅极，以包围浮置栅极的外周的方式使多晶硅层间绝缘膜介设配置于其间；及控制栅极线，连接于控制栅极且朝既定方向延伸。浮置栅极分别延伸至控制栅极的下方与上方区域及控制栅极线的下方区域且在浮置栅极与控制栅极的上表面、下表面及内侧面间、及浮置栅极的延伸至控制栅极线的下方区域的部分与控制栅极线间分别介设配置多晶硅层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器晶体管，其特征在于，具备：岛状半导体，从衬底侧依序形成有源极区域、沟道区域及漏极区域；浮置栅极，以包围所述沟道区域的外周的方式使隧穿绝缘膜介设配置于其间；控制栅极，以包围所述浮置栅极的外周的方式使多晶硅层间绝缘膜介设配置于其间；及控制栅极线，电性连接于所述控制栅极，且朝既定方向延伸；所述浮置栅极分别延伸至所述控制栅极的下方区域与上方区域、以及所述控制栅极线的下方区域；在所述浮置栅极与所述控制栅极的上表面、下表面及内侧面之间介设配置有多晶硅层间绝缘膜；所述浮置栅极于延伸至所述控制栅极线的下方区域的部分与所述控制栅极线之间介设配置有多晶硅层间绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司，未经新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110180001.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
