[发明专利]虚设图案以及形成虚设图案的方法有效
| 申请号： | 201110137642.2 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102799060B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡振华;陈建诚;蔡锦岳;范耀仁;陈科宏;杨祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种虚设图案以及形成虚设图案的方法，该方法首先提供布局区域，该布局区域内包括布局图案，且该布局图案具有第一密度。随后于该布局图案中插入多个第一虚设图案，这些第一虚设图案具有第二密度，且该第二密度对应于该第一密度。接下来分割该布局区域以定义多个子区域，这些子区域分别具有第三密度，根据该第三密度与该第二密度的差异调整这些第一虚设图案的大小，以及将该布局图案与该第一虚设图案输出至光掩模上。 | ||
| 搜索关键词： | 虚设 图案 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成虚设图案的方法，包括：提供布局区域，该布局区域内包括元件布局图案、多个第一虚设图案和多个第二虚设图案并且具有第一密度；于该元件布局图案中插入多个第三虚设图案，该多个第三虚设图案具有第二密度，且该第二密度对应于该第一密度；分割包括该元件布局图案、该多个第一虚设图案、该多个第二虚设图案与该多个第三虚设图案的该布局区域以定义多个子区域，该多个子区域分别具有第三密度；根据该第三密度与该第二密度的差异调整各该子区域内的该第三虚设图案的大小；以及输出该元件布局图案与该多个第一虚设图案、该多个第二虚设图案与该多个第三虚设图案至光掩模上。
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- 张瑞军;莫超德;范志翔;卢马才;蔡小龙 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2017-03-20 - 2017-06-13 - G03F1/38
- 本发明涉及液晶显示器技术领域，具体涉及一种光罩及清洁装置。包括石英玻璃板、透明导电膜、半透明膜和金属框；其中，在石英玻璃板的下面设有金属框，半透明膜设置在金属框的下端，在石英玻璃板的上面和半透明膜的下面均设有透明导电膜。本发明通过在光罩表面设置透明导电膜，对透明导电膜通电，使得掉落在光罩上的异物带电；再通过光罩清洁装置，通过相反电性的上清洁板和下清洁板吸附异物，达到对光罩表面异物洁净方便快捷的效果。
- 掩膜板-201710090975.1
- 张锋 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2017-02-20 - 2017-05-31 - G03F1/38
- 本发明实施例提供一种掩膜板，包括遮光区和透光区，所述掩膜板还包括衍射区，所述衍射区设置在所述透光区中，用于使透射光衍射。本发明实施例的掩膜板，通过在透光区中设置衍射区，使透射光发生衍射，从而增强过孔处的曝光强度，消除过孔处光刻胶的残留，提高过孔的解析度，改善产品良品率。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
