[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110087491.4 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102214618A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 三木启司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在基板(11)上的芯片区域(12)的周边部分上，连续包围芯片区域(12)的内侧部分而形成有机保护膜(23’)。另外，钝化膜(22)和有机保护膜(23)在罩层(47)上形成闭环状开口部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；电极焊盘，该电极焊盘形成于所述半导体基板上；密封圈，该密封圈形成于比所述电极焊盘更靠近所述半导体基板的外周侧；罩层，该罩层形成于所述密封圈上，与所述密封圈相连接；钝化膜，该钝化膜形成于所述半导体基板上，使所述电极焊盘和所述罩层露出；第一保护膜，该第一保护膜形成于所述钝化膜上，而且比所述密封圈更靠近内周，使所述电极焊盘和所述罩层露出；以及第二保护膜，该第二保护膜形成于所述钝化膜上，而且比所述密封圈更靠近外周，使所述罩层露出。
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