[发明专利]一种半导体功率器件封装结构无效
| 申请号： | 201110021355.5 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102117785A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵亚俊;尹华 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体功率器件封装结构，所述封装结构包括散热片、引线脚、芯片、装片胶、金属焊线和塑封料，所述散热片上设有芯片承载区，所述散热片为阶梯结构。与现有技术相比，本发明请求保护的一种半导体功率器件封装结构，在保证功率及散热效果的同时，进一步降低了材料成本又提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件封装结构，所述封装结构包括散热片、引线脚、芯片、装片胶、金属焊线和塑封料，所述散热片上设有芯片承载区，其特征在于：所述散热片为阶梯结构。
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